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公开(公告)号:CN1228829C
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN02160411.8
申请日:2002-12-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/00 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/681 , H01L23/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过从半导体基片的电路图案表面照射可见光,用可见光摄像机从晶片的背面识别一个识别标志的图像,而执行高对比度的图像识别。该硅基片的厚度被设置为5微米至50微米。具有等于800nm或更短的波长的白光和可见光被照射到基片的电路图案形成表面上。透过硅基片的可见光被在硅基片的背面侧上的可见光摄像机所接收。用可见光摄像机识别形成在硅基片的电路图案形成表面上的识别标志的图像。
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公开(公告)号:CN1893051A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610100025.4
申请日:2006-06-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/49811 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/17 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05568 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/1134 , H01L2224/13027 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/14 , H01L2224/1411 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17107 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/81194 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2225/06558 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05541 , H01L2224/05005
Abstract: 一种半导体器件,包括在其主表面上设置有外部连接端子焊盘的半导体元件。该半导体元件经由多个凸状外部连接端子和一个连接部件连接到支撑板上的导电层,所述多个凸状外部连接端子设置于该外部连接端子焊盘上,并且该连接部件同时覆盖所述多个凸状外部连接端子。
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公开(公告)号:CN1633704A
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN02829251.0
申请日:2002-08-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L29/0657 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L24/81 , H01L25/065 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511
Abstract: 半导体芯片(10)通过表面形成的涂层材料(11)变形为大致圆筒形后固定。变形的半导体芯片(10)与内插板(12)倒装芯片连接。半导体芯片(10)在内插板(12)上用封装树脂(13)封装。内插板(12)的背面配置有作为外部连接端子的焊锡球(14)。
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公开(公告)号:CN1463032A
公开(公告)日:2003-12-24
申请号:CN02160411.8
申请日:2002-12-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/00 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/67092 , H01L21/681 , H01L23/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 通过从半导体基片的电路图案表面照射可见光,用可见光摄像机从晶片的背面识别一个识别标志的图像,而执行高对比度的图像识别。该硅基片的厚度被设置为5微米至50微米。具有等于800nm或更短的波长的白光和可见光被照射到基片的电路图案形成表面上。透过硅基片的可见光被在硅基片的背面侧上的可见光摄像机所接收。用可见光摄像机识别形成在硅基片的电路图案形成表面上的识别标志的图像。
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公开(公告)号:CN100401486C
公开(公告)日:2008-07-09
申请号:CN02829251.0
申请日:2002-08-09
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L29/0657 , H01L23/3128 , H01L23/4334 , H01L24/81 , H01L25/065 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13144 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2924/01079 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/3511
Abstract: 半导体芯片(10)通过表面形成的涂层材料(11)变形为大致圆筒形后固定。变形的半导体芯片(10)与内插板(12)倒装芯片连接。半导体芯片(10)在内插板(12)上用封装树脂(13)封装。内插板(12)的背面配置有作为外部连接端子的焊锡球(14)。
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公开(公告)号:CN1452245A
公开(公告)日:2003-10-29
申请号:CN03123119.5
申请日:2003-04-17
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01L25/03 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/16 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/0652 , H01L2225/06541 , H01L2225/06558 , H01L2225/06572 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/01079 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/00
Abstract: 一种叠层型半导体器件具有减小的总高度和提高该叠层结构的机械强度的可靠性。该半导体器件还具有改进的散热特性。第一插入物具有一个表面,其上形成第一电极焊盘,并且该第一半导体元件被安装为使得该电路形成表面与第一插入物相对。第二半导体元件具有一个电路形成表面和与该电路形成表面相反的背面。第二插入物具有一个表面,其上形成第二电极焊盘,并且该第二半导体元件被安装为使得该电路形成表面与该第二插入物相对。外部连接端被提供于与安装第二半导体元件的表面相对的第二插入物的表面上。第一和第二插入物被它们之间的导电部件相互电连接。该第一半导体元件的背面和第二半导体元件的背面被粘合剂相互固定。
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