公开(公告)号：CN1835243A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200510106327.8

申请日：2005-09-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川成美 ,  竹田重利 ,  石原行宏 ,  林一树 ,  直理修久 ,  千千岩雅弘

IPC: H01L27/14 ,  H01L31/10

Abstract: 本发明提供一种MOS图像传感器，其包括：半导体衬底，其具有许多个设置成矩阵形式的像素，该半导体衬底包括包含光电二极管的电荷聚积区和浮动扩散区的第一区以及包含多个晶体管的第二区，每个晶体管具有栅极和源极/漏极区；第一二氧化硅膜，其形成在该半导体衬底上方，覆盖该第一区中的该电荷聚积区的表面，并形成为该第二区中至少一些晶体管的栅极侧壁上的侧壁间隔物；以及氮化硅膜，其形成该第一二氧化硅膜上方，覆盖该第二区中的源极/漏极区并且至少在该第一区中的该电荷聚积区上方的区域中具有开口。本发明提供的半导体图像传感器具有高灵敏度并能够以低噪声提供输出。

公开(公告)号：CN101093830A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710104101.3

申请日：2007-05-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉田臣希 ,  牛田文雄 ,  直理修久 ,  尾崎康孝

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/544 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/544 ,  H01L23/585 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2223/5448 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有用作识别标记的符号图案的半导体器件及其制造方法，其中构成部分电子电路的多个器件图案形成在衬底的表面上。在与器件图案同一层中形成用作识别标记的符号图案。器件图案的宽度位于设计规则的图案宽度范围内。符号图案由隔离的多个要素图案形成。要素图案是线性图案或者点图案。要素图案的宽度大于等于图案宽度范围的下限值的0.8倍，小于等于图案宽度范围的上限值的1.2倍。