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公开(公告)号：CN1835243A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510106327.8
申请日：2005-09-22
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明提供一种MOS图像传感器，其包括：半导体衬底，其具有许多个设置成矩阵形式的像素，该半导体衬底包括包含光电二极管的电荷聚积区和浮动扩散区的第一区以及包含多个晶体管的第二区，每个晶体管具有栅极和源极/漏极区；第一二氧化硅膜，其形成在该半导体衬底上方，覆盖该第一区中的该电荷聚积区的表面，并形成为该第二区中至少一些晶体管的栅极侧壁上的侧壁间隔物；以及氮化硅膜，其形成该第一二氧化硅膜上方，覆盖该第二区中的源极/漏极区并且至少在该第一区中的该电荷聚积区上方的区域中具有开口。本发明提供的半导体图像传感器具有高灵敏度并能够以低噪声提供输出。
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