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公开(公告)号:CN1838419A
公开(公告)日:2006-09-27
申请号:CN200510120035.X
申请日:2005-11-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固态成像器件,其具有衬底,在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和外围电路部分。该器件的特征在于第一多层金属化结构形成在该外围电路部分上方,以及比第一多层金属化结构薄的第二多层金属化结构形成在该像素阵列部分上方。
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公开(公告)号:CN1702871A
公开(公告)日:2005-11-30
申请号:CN200410088660.6
申请日:2004-11-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/3742 , H04N5/3577
Abstract: 本发明公开了固态摄像装置和像素数据读取电压施加方法。移位寄存器输出用于选择二维像素阵列中的水平像素序列的选择信号,并且包括用于从像素阵列的左边外侧或右边外侧将选择信号施加到像素阵列的垂直移位寄存器,并且,电压施加器件用于在选择信号被输出后,从选择信号的提供端的相对一侧将用于读取水平像素序列的数据的电源电压施加到像素阵列。
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公开(公告)号:CN1717015A
公开(公告)日:2006-01-04
申请号:CN200410091684.7
申请日:2004-11-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3591 , H04N5/3575
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和控制方法。用于控制含有多个像素的固态成像装置的方法包括选择多个像素中的一个的复位元件,复位连接到像素上的检测单元,向检测单元发射在由像素的光电转换元件执行的光电转换之后所蓄积的电荷,并提供控制以将发射控制信号线的第二端设置为打开状态。
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公开(公告)号:CN1233153C
公开(公告)日:2005-12-21
申请号:CN02108053.4
申请日:2002-03-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种用CMOS工艺制造的,不增大芯片面积,且抑制制造成本,能进行图象平均化处理的XY地址型固体摄象装置。在由水平选择线RWm和垂直选择线CLn划分的区域上将象素区域Pmn排列成矩阵状,象素区域Pmn包括光电变换器件10;把光电变换器件10的电荷转换成电压并放大、输出图象数据的源跟随放大器14;和向规定的垂直选择线CLn输出图象数据的水平选择晶体管16。在放大器/噪声消除电路6内装有对多个象素区域Pmn的至少2个输出的图象数据进行图象平均化处理的图象平均化处理电路。
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公开(公告)号:CN1383320A
公开(公告)日:2002-12-04
申请号:CN02102724.2
申请日:2002-01-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/363
Abstract: 一种用CMOS工艺制造的XY地址型固体摄象装置,具有元件尺寸小孔径率大,并能降低kTC噪声。在象素区域Pmn内形成光电二极管10、复位晶体管12、源极跟随放大器14和水平选择晶体管16。在象素区域Pmn外,形成用于降低kTC噪声的kTC噪声降低电路6CL1和CDS电路6CL1。由kTC噪声降低电路6VR1的第1差动晶体管62和各象素区域Pmn内的源极跟随放大器14构成差动放大器。
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公开(公告)号:CN101415072A
公开(公告)日:2009-04-22
申请号:CN200810165883.6
申请日:2005-01-18
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H04N5/3658 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种成像设备及其控制方法以及CMOS图像传感器。一种设置有读出电路的成像设备,其中光屏蔽区域被形成在其中多个光/电转换器件在行和列方向上被二维排列的图像区域的一部分中,读出设备将从用于每列的光/电转换器件中的每一个输出的光学探测信号转换为数字信号,该成像设备包括:存储设备,用于保存与光屏蔽区域中的光/电转换器件相关的被输出的数字信号;以及差计算设备,用于计算和除了光屏蔽区域之外的光接收区域中的光/电转换器件相关的被输出的数字信号与被保存在存储设备中的值之间的差。
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公开(公告)号:CN101147260A
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200580049317.3
申请日:2005-03-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L31/03529 , H04N5/361 , Y02E10/50
Abstract: 在各像素中构成光电二极管的第一扩散区域,蓄积对应于入射光而产生的载流子。第二扩散区域通过覆盖第一扩散区域的外围部而形成于第一扩散区域的表面。第一扩散区域的周围部分因元件分离区域的制造工程和栅电极的制造工程而容易发生结晶缺陷,并容易产生暗电流噪声。第二扩散区域发挥防止在制造工程中发生结晶缺陷的保护层的功能。第二扩散区域并不形成于很难发生结晶缺陷的第一扩散区域表面的中央部分上。在没有形成第二扩散区域的第一扩散区域,由于可以增大空乏层的厚度,所以能够提高光的检测灵敏度。因此,能够在不增加暗电流噪声的情况下,提高光电二极管的检测灵敏度。
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公开(公告)号:CN101142681A
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200580049053.1
申请日:2005-03-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/37457 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14647 , H01L27/14652 , H01L27/14689
Abstract: 提供一种CMOS图像传感器及其制造方法,该CMOS图像传感器具有有效增大的孔径比和提高的光学感光度。本发明第一方案的图像传感器包括像素区域(10),其中形成有多个像素,每个像素至少具有光电二极管、复位晶体管和源极跟随器晶体管;以及外围电路区域(12),其中形成有处理从像素区域读出的读出信号的外围电路。像素区域中的阱区域(PW2)比外围电路区域中的阱区域(PW1)浅。此外,复位晶体管或源极跟随器晶体管形成在像素区域(10)的浅阱区域(PW2)中,而光电二极管区域(PHD2)嵌入在晶体管的阱区域(PW2)下。通过这种结构,像素的光电二极管区域嵌入到相比衬底表面较浅的区域中,从衬底表面入射的光在衰减前被捕获,从而提高了光学感光度。此外,因为像素的光电二极管区域嵌入到有源元件下方的较浅区域中,所以可增大有效孔径比和提高光学感光度。
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公开(公告)号:CN100356773C
公开(公告)日:2007-12-19
申请号:CN200410091684.7
申请日:2004-11-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置和控制方法。用于控制含有多个像素的固态成像装置的方法包括选择多个像素中的一个的复位元件,复位连接到像素上的检测单元,向检测单元发射在由像素的光电转换元件执行的光电转换之后所蓄积的电荷,并提供控制以将发射控制信号线的第二端设置为打开状态。
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公开(公告)号:CN1217524C
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN03149812.4
申请日:2003-07-25
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H04N5/3598
Abstract: 提供改进图像质量的图像传感器。本发明公开了一种用于捕获图像的图像传感器,该图像传感器具有:多个像素,以矩阵方式排列,每个像素包括用于根据接收的光强产生电流的光电转换元件和用于将光电转换元件的节点复位到复位电压的复位晶体管;以及采样保持电路,用于根据像素节点的电位对像素电位进行采样保持。此外,采样保持电路包括相关双采样电路,该相关双采样电路用于输出在像素的第一复位操作之后在积分周期结束时的第一像素电位与积分周期之后的第二复位操作之后在复位噪声读取周期结束时的第二像素电位之间的差电位作为像素信号。此外,采样保持电路还包括控制电路,该控制电路用于在复位噪声读取周期期间的第二像素电位超过预定阈值电平时,将该第二像素电位设置为预定基准电位。
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