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公开(公告)号：CN1835245A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510120063.1
申请日：2005-11-08
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本发明提供嵌有光电二极管区的图像传感器及其制造方法。在该图像传感器中形成多个像素，所述像素至少具有一光电二极管、一复位晶体管和源极跟随器晶体管，其中，每个像素包括电荷转移栅晶体管，其位于光电二极管与复位晶体管之间，并且构成使复位晶体管与转移栅晶体管连接的节点的浮动扩散区与该源极跟随器晶体管的栅极连接。此外，光电二极管区被嵌入在阱区的下部，在该阱区中形成每个像素的复位晶体管和源极跟随器晶体管。另外，至少在该浮动扩散区的一部分区域的下部不形成该光电二极管区。
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公开(公告)号：CN101147260A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200580049317.3
申请日：2005-03-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L31/03529 , H04N5/361 , Y02E10/50
Abstract: 在各像素中构成光电二极管的第一扩散区域，蓄积对应于入射光而产生的载流子。第二扩散区域通过覆盖第一扩散区域的外围部而形成于第一扩散区域的表面。第一扩散区域的周围部分因元件分离区域的制造工程和栅电极的制造工程而容易发生结晶缺陷，并容易产生暗电流噪声。第二扩散区域发挥防止在制造工程中发生结晶缺陷的保护层的功能。第二扩散区域并不形成于很难发生结晶缺陷的第一扩散区域表面的中央部分上。在没有形成第二扩散区域的第一扩散区域，由于可以增大空乏层的厚度，所以能够提高光的检测灵敏度。因此，能够在不增加暗电流噪声的情况下，提高光电二极管的检测灵敏度。
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公开(公告)号：CN101142681A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200580049053.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/37457 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14647 , H01L27/14652 , H01L27/14689
Abstract: 提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器具有有效增大的孔径比和提高的光学感光度。本发明第一方案的图像传感器包括像素区域(10)，其中形成有多个像素，每个像素至少具有光电二极管、复位晶体管和源极跟随器晶体管；以及外围电路区域(12)，其中形成有处理从像素区域读出的读出信号的外围电路。像素区域中的阱区域(PW2)比外围电路区域中的阱区域(PW1)浅。此外，复位晶体管或源极跟随器晶体管形成在像素区域(10)的浅阱区域(PW2)中，而光电二极管区域(PHD2)嵌入在晶体管的阱区域(PW2)下。通过这种结构，像素的光电二极管区域嵌入到相比衬底表面较浅的区域中，从衬底表面入射的光在衰减前被捕获，从而提高了光学感光度。此外，因为像素的光电二极管区域嵌入到有源元件下方的较浅区域中，所以可增大有效孔径比和提高光学感光度。
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公开(公告)号：CN101315941A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810110604.6
申请日：2008-06-02
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H01L27/14643
Abstract: 本发明公开了一种固态图像传感器件，其中，许多像素被以矩阵方式布置在二维平面上，该固态图像传感器件包括多个光接收器件和多个微透镜，所述多个光接收器件被以这样的方式布置：中心间隔在列方向上和/或在行方向上可以周期性地改变，所述多个微透镜用于收集每个光接收器件的入射光，其中，中心间隔根据光接收器件的中心间隔的周期性改变而周期性地改变。
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公开(公告)号：CN100413080C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200410088660.6
申请日：2004-11-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/3742 , H04N5/3577
Abstract: 本发明公开了固态摄像装置和像素数据读取电压施加方法。移位寄存器输出用于选择二维像素阵列中的水平像素序列的选择信号，并且包括用于从像素阵列的左边外侧或右边外侧将选择信号施加到像素阵列的垂直移位寄存器，并且，电压施加器件用于在选择信号被输出后，从选择信号的提供端的相对一侧将用于读取水平像素序列的数据的电源电压施加到像素阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1717002A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510000218.8
申请日：2005-01-05
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H04N5/3575 , H04N5/355 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供了一种用于减少由电荷泵操作引起的噪声的CMOS图像传感器。本发明的CMOS图像传感器包括图像元素电路阵列、对阵列的一个图像元素行进行相关双采样的单元、向形成阵列的图像元素电路提供预定的被提升的电压的电荷泵型升压单元以及阻止由电荷泵型升压单元的泵浦操作引起的噪声的阻止单元。阻止单元可以是禁止电荷泵型升压单元的泵浦操作的禁止单元。在电荷泵型升压单元包括用于根据所分配的时钟分配升压输出的升压电路以及用于以升压输出与预定的被提升的电压相一致的方式生成时钟的时钟发生电路的情形中，禁止泵浦操作的禁止单元可以包括不向升压电路分配时钟发生电路的输出的不分配单元。
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公开(公告)号：CN1716622A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200410103587.5
申请日：2004-12-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/363
Abstract: 本发明可以适用于下述CMOS图像传感器，在该CMOS图像传感器中，活动像素传感器阵列的每个像素电路包括用于将输入光转换成电的光电转换元件和用于控制对光电转换元件的复位电压供给的切换晶体管，所述复位电压用于将光电转换元件复位到预定电压。CMOS图像传感器包括控制电路，该控制电路用于分配施加到切换晶体管的控制电极上的控制信号。在光电转换元件的复位期的第一部分中，控制电路输出高于CMOS图像传感器的电源电压的第一电压，从而使得切换晶体管的ON电阻充分小，并且在光电转换元件的复位期的后面部分中输出低于CMOS图像传感器的电源电压的第二电压。
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公开(公告)号：CN1124688C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN97113738.2
申请日：1997-07-03
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 井上忠夫
IPC: H03K5/05
Abstract: 一种脉宽控制器，包括：第一脉宽调整部分(1)，调整主脉冲信号脉宽；第二脉宽调整部分(2)，调整参考脉冲信号脉宽；脉宽测量部分(3)，测量调整的参考脉冲信号脉宽；指标脉宽设置部分(4)，用于把指标脉宽设置成由第一脉宽调整部分获得的值；控制部分(5)，向第一脉宽调整部分输出控制信号，根据测量的参考脉冲信号脉宽度信息和设置的指标脉宽信息，来调整主脉冲信号脉宽。操作时，不受环境影响，可更精确地控制脉宽。
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公开(公告)号：CN1838419A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200510120035.X
申请日：2005-11-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 本发明提供一种固态成像器件，其具有衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和外围电路部分。该器件的特征在于第一多层金属化结构形成在该外围电路部分上方，以及比第一多层金属化结构薄的第二多层金属化结构形成在该像素阵列部分上方。
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公开(公告)号：CN1702871A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200410088660.6
申请日：2004-11-15
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/3742 , H04N5/3577
Abstract: 本发明公开了固态摄像装置和像素数据读取电压施加方法。移位寄存器输出用于选择二维像素阵列中的水平像素序列的选择信号，并且包括用于从像素阵列的左边外侧或右边外侧将选择信号施加到像素阵列的垂直移位寄存器，并且，电压施加器件用于在选择信号被输出后，从选择信号的提供端的相对一侧将用于读取水平像素序列的数据的电源电压施加到像素阵列。
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