公开(公告)号：CN101147260A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200580049317.3

申请日：2005-03-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 井上忠夫 ,  山本克义 ,  小林博

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L31/03529 ,  H04N5/361 ,  Y02E10/50

Abstract: 在各像素中构成光电二极管的第一扩散区域，蓄积对应于入射光而产生的载流子。第二扩散区域通过覆盖第一扩散区域的外围部而形成于第一扩散区域的表面。第一扩散区域的周围部分因元件分离区域的制造工程和栅电极的制造工程而容易发生结晶缺陷，并容易产生暗电流噪声。第二扩散区域发挥防止在制造工程中发生结晶缺陷的保护层的功能。第二扩散区域并不形成于很难发生结晶缺陷的第一扩散区域表面的中央部分上。在没有形成第二扩散区域的第一扩散区域，由于可以增大空乏层的厚度，所以能够提高光的检测灵敏度。因此，能够在不增加暗电流噪声的情况下，提高光电二极管的检测灵敏度。

公开(公告)号：CN1217524C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN03149812.4

申请日：2003-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 国分政利 ,  水口寿孝 ,  船越纯 ,  小林博 ,  山本克义

IPC: H04N1/03 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/3598

Abstract: 提供改进图像质量的图像传感器。本发明公开了一种用于捕获图像的图像传感器，该图像传感器具有：多个像素，以矩阵方式排列，每个像素包括用于根据接收的光强产生电流的光电转换元件和用于将光电转换元件的节点复位到复位电压的复位晶体管；以及采样保持电路，用于根据像素节点的电位对像素电位进行采样保持。此外，采样保持电路包括相关双采样电路，该相关双采样电路用于输出在像素的第一复位操作之后在积分周期结束时的第一像素电位与积分周期之后的第二复位操作之后在复位噪声读取周期结束时的第二像素电位之间的差电位作为像素信号。此外，采样保持电路还包括控制电路，该控制电路用于在复位噪声读取周期期间的第二像素电位超过预定阈值电平时，将该第二像素电位设置为预定基准电位。

公开(公告)号：CN1481147A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03149812.4

申请日：2003-07-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 国分政利 ,  水口寿孝 ,  船越纯 ,  小林博 ,  山本克义

IPC: H04N1/03 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/3598

Abstract: 提供改进图像质量的图像传感器。本发明公开了一种用于捕获图像的图像传感器，该图像传感器具有：多个像素，以矩阵方式排列，每个像素包括用于根据接收的光强产生电流的光电转换元件和用于将光电转换元件的节点复位到复位电压的复位晶体管；以及采样保持电路，用于根据像素节点的电位对像素电位进行采样保持。此外，采样保持电路输出在像素的第一复位操作之后在积分周期结束时的第一像素电位与积分周期之后的第二复位操作之后在复位噪声读取周期结束时的第二像素电位之间的差电位作为像素信号。此外，在采样保持电路中，在复位噪声读取周期期间的第二像素电位超过预定阈值电平时，将该第二像素电位设置为预定基准电位。

公开(公告)号：CN1816115A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510077205.0

申请日：2005-06-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小久保朝生 ,  大工博 ,  船越纯 ,  小林博 ,  星野和佳子

IPC: H04N5/335

CPC classification number: H04N5/3658

Abstract: 本发明公开了一种降低垂直条纹噪声的图像传感器。在每列中设置有AD转换电路的图像传感器中，使用基于由屏蔽象素组成的多条线的每列中的输出而得到的值，来校正位于每一列中的每个AD转换电路的偏移值，从而提供一种有效的用于降低由于AD转换电路的偏移成分的偏差而导致的垂直条纹噪声的方法。

公开(公告)号：CN1838419A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200510120035.X

申请日：2005-11-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小林博 ,  山本克义 ,  井上忠夫 ,  水口寿孝

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种固态成像器件，其具有衬底，在该衬底中形成具有多个像素的像素阵列部分和外围电路部分。该器件的特征在于第一多层金属化结构形成在该外围电路部分上方，以及比第一多层金属化结构薄的第二多层金属化结构形成在该像素阵列部分上方。