公开(公告)号：CN102021539B

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201010282775.4

申请日：2010-09-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 藤浪达也 ,  高桥伸辅 ,  藤绳淳 ,  殿原浩二

IPC: C23C16/54 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/517 ,  C23C16/54 ,  C23C16/545

Abstract: 本发明公开了一种膜沉积方法，所述膜沉积方法在卷筒的周边表面周围的至少一个膜沉积室中将膜沉积在在圆筒形卷筒的周边表面上移动的条带形基板的表面上。所述方法包括下述步骤：预先在一个膜沉积室与包括缠绕空间的室之间设置差压室，所述缠绕空间包括基板开始在卷筒上移动的第一位置和基板与卷筒分离的第二位置中的至少一个，差压室与包括缠绕空间的室和至少一个膜沉积室连通；将缠绕空间的第一压力设置为低于至少一个膜沉积室的第二压力；以及利用供给至卷筒的电力，在至少一个膜沉积室中执行膜沉积。

公开(公告)号：CN101994102A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010260542.4

申请日：2010-08-20

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 藤浪达也 ,  高桥伸辅 ,  殿原浩二 ,  藤绳淳

IPC: C23C16/54

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C16/45519

Abstract: 本发明提供一种膜沉积装置，包括：CVD成膜室，其被设置在基板的移动路径上，并且具有通过CVD在基板上进行膜沉积的功能；处理室，其被设置在移动路径上的CVD成膜室的上游或下游，并且具有在基板上进行预定处理的功能；和差压室，其被设置在CVD成膜室和处理室之间，并且与CVD成膜室和处理室连通。所述差压室包括：抽真空装置；气体引入装置，其用于引入以下气体中的至少一种：惰性气体，和要被供给到CVD成膜室和处理室两者中的气体；和控制装置，其控制抽真空装置和气体引入装置以将差压室保持在比CVD成膜室和处理室更高的压力。

公开(公告)号：CN101750421B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN200910260476.8

申请日：2009-12-15

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥伸辅 ,  西田弘幸 ,  藤浪达也

IPC: G01N21/892

CPC classification number: B05D7/24 ,  B05D1/60 ,  B05D5/005 ,  B05D7/54 ,  B05D7/58 ,  C23C16/545

Abstract: 本发明提供用于制备层压体的方法。所述用于制备层压体的方法包括：膜形成步骤，用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120，160)，以获得薄膜；缺陷覆盖层(130，170)形成步骤，用于通过CVD在薄膜(120，160)上形成缺陷覆盖层(130，170)；和检查步骤，用于透过缺陷覆盖层(130，170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。该方法能够制备具有较少缺陷的层压体，其有效地允许检测细小缺陷。

公开(公告)号：CN102021539A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010282775.4

申请日：2010-09-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 藤浪达也 ,  高桥伸辅 ,  藤绳淳 ,  殿原浩二

IPC: C23C16/54 ,  C23C14/56

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/44 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  C23C16/517 ,  C23C16/54 ,  C23C16/545

Abstract: 本发明公开了一种膜沉积方法，所述膜沉积方法在卷筒的周边表面周围的至少一个膜沉积室中将膜沉积在在圆筒形卷筒的周边表面上移动的条带形基板的表面上。所述方法包括下述步骤：预先在一个膜沉积室与包括缠绕空间的室之间设置差压室，所述缠绕空间包括基板开始在卷筒上移动的第一位置和基板与卷筒分离的第二位置中的至少一个，差压室与包括缠绕空间的室和至少一个膜沉积室连通；将缠绕空间的第一压力设置为低于至少一个膜沉积室的第二压力；以及利用供给至卷筒的电力，在至少一个膜沉积室中执行膜沉积。

公开(公告)号：CN101750421A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910260476.8

申请日：2009-12-15

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 高桥伸辅 ,  西田弘幸 ,  藤浪达也

IPC: G01N21/892

CPC classification number: B05D7/24 ,  B05D1/60 ,  B05D5/005 ,  B05D7/54 ,  B05D7/58 ,  C23C16/545

Abstract: 本发明提供用于制备层压体的方法。所述用于制备层压体的方法包括：膜形成步骤，用于在支持体(110)上形成具有一个或多个层的薄膜(120，160)，以获得薄膜；缺陷覆盖层(130，170)形成步骤，用于通过CVD在薄膜(120，160)上形成缺陷覆盖层(130，170)；和检查步骤，用于透过缺陷覆盖层(130，170)的顶部检测尺寸为0.1μm以上且20μm以下的缺陷(180)。该方法能够制备具有较少缺陷的层压体，其有效地允许检测细小缺陷。

公开(公告)号：CN302281081S

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201230305947.5

申请日：2012-07-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Designer： 殿原浩二 ,  高桥伸辅

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：等离子体装置用电极板。2．本外观设计产品的用途：用于对材料进行等离子处理。3．本外观设计的设计要点：产品的形状和图案的结合。4．最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。5．右视图与左视图对称，故省略右视图；仰视图与俯视图对称，故省略仰视图。6．使用状态参考图中的P表示本外观设计的产品。

公开(公告)号：CN302469904S

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201230618509.4

申请日：2012-12-11

Applicant: 富士胶片株式会社

Designer： 殿原浩二 ,  高桥伸辅

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：等离子体装置用电极板。2．本外观设计产品的用途：用于对材料进行等离子处理。3．本外观设计的设计要点：产品的形状和图案的结合。4．最能表明设计要点的图片或者照片：立体图1。5．右视图与左视图对称，故省略右视图；俯视图与仰视图对称，故省略俯视图。