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公开(公告)号：CN101818331A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010126475.7
申请日：2010-02-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , B05D7/04 , B05D2252/02 , B32B37/003 , B32B37/12 , B32B37/203 , B32B38/10 , B32B2037/243 , B32B2305/02 , B32B2309/68 , B32B2457/00 , C23C14/024 , C23C14/081 , C23C16/0272 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供一种功能性膜和用于制备功能性膜的方法。功能性膜制备方法包括以下步骤：从第一膜卷材连续地供给载体，在所述载体上形成涂膜，在所述涂膜的表面上安置层压膜，并且将所述载体卷绕成第二膜卷材；和将通过上述步骤制备的第二膜卷材装载到真空成膜设备中，从第二膜卷材连续地供给配置有所述层压膜的载体，剥离所述层压膜，在所述载体上面的所述涂膜上形成无机膜，并且将所述载体卷绕成第三膜卷材。
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公开(公告)号：CN102021539A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010282775.4
申请日：2010-09-10
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/44 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/517 , C23C16/54 , C23C16/545
Abstract: 本发明公开了一种膜沉积方法，所述膜沉积方法在卷筒的周边表面周围的至少一个膜沉积室中将膜沉积在在圆筒形卷筒的周边表面上移动的条带形基板的表面上。所述方法包括下述步骤：预先在一个膜沉积室与包括缠绕空间的室之间设置差压室，所述缠绕空间包括基板开始在卷筒上移动的第一位置和基板与卷筒分离的第二位置中的至少一个，差压室与包括缠绕空间的室和至少一个膜沉积室连通；将缠绕空间的第一压力设置为低于至少一个膜沉积室的第二压力；以及利用供给至卷筒的电力，在至少一个膜沉积室中执行膜沉积。
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公开(公告)号：CN104203562B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201380017055.7
申请日：2013-02-19
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/0272 , C23C16/50 , C23C16/509 , C23C16/545 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高阻气性、且透明性、耐久性、及柔软性亦优异的阻气膜及阻气膜的制造方法。关于本发明的阻气膜，膜中的氮与硅的组成比N/Si为1.00～1.35，膜密度为2.1g/cm3～2.4g/cm3，膜厚为10nm～60nm，基板与无机膜的界面的混合层的厚度为5nm～40nm。
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公开(公告)号：CN102443785B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110301986.2
申请日：2011-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种功能性薄膜的制造方法，在将具有由有机材料形成的表面的长条的基板沿长度方向输送，并同时通过等离子体CVD制膜形成无机膜时，能够稳定地形成能够表现出与膜厚对应的作为目标的气体阻挡性能且时效稳定性也优良的气体阻挡膜。在电极对之间，通过使基板的输送方向的最上游位置处的等离子体电子密度比最下游位置处的等离子体电子密度低，来解决所述课题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101818331B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010126475.7
申请日：2010-02-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , B05D7/04 , B05D2252/02 , B32B37/003 , B32B37/12 , B32B37/203 , B32B38/10 , B32B2037/243 , B32B2305/02 , B32B2309/68 , B32B2457/00 , C23C14/024 , C23C14/081 , C23C16/0272 , C23C16/545
Abstract: 本发明提供一种功能性膜和用于制备功能性膜的方法。功能性膜制备方法包括以下步骤：从第一膜卷材连续地供给载体，在所述载体上形成涂膜，在所述涂膜的表面上安置层压膜，并且将所述载体卷绕成第二膜卷材；和将通过上述步骤制备的第二膜卷材装载到真空成膜设备中，从第二膜卷材连续地供给配置有所述层压膜的载体，剥离所述层压膜，在所述载体上面的所述涂膜上形成无机膜，并且将所述载体卷绕成第三膜卷材。
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公开(公告)号：CN102443785A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110301986.2
申请日：2011-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种功能性薄膜的制造方法，在将具有由有机材料形成的表面的长条的基板沿长度方向输送，并同时通过等离子体CVD制膜形成无机膜时，能够稳定地形成能够表现出与膜厚对应的作为目标的气体阻挡性能且时效稳定性也优良的气体阻挡膜。在电极对之间，通过使基板的输送方向的最上游位置处的等离子体电子密度比最下游位置处的等离子体电子密度低，来解决所述课题。
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公开(公告)号：CN104203562A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017055.7
申请日：2013-02-19
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/0272 , C23C16/50 , C23C16/509 , C23C16/545 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高阻气性、且透明性、耐久性、及柔软性亦优异的阻气膜及阻气膜的制造方法。关于本发明的阻气膜，膜中的氮与硅的组成比N/Si为1.00～1.35，膜密度为2.1g/cm3～2.4g/cm3，膜厚为10nm～60nm，基板与无机膜的界面的混合层的厚度为5nm～40nm。
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公开(公告)号：CN102021539B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201010282775.4
申请日：2010-09-10
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/44 , C23C16/503 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/517 , C23C16/54 , C23C16/545
Abstract: 本发明公开了一种膜沉积方法，所述膜沉积方法在卷筒的周边表面周围的至少一个膜沉积室中将膜沉积在在圆筒形卷筒的周边表面上移动的条带形基板的表面上。所述方法包括下述步骤：预先在一个膜沉积室与包括缠绕空间的室之间设置差压室，所述缠绕空间包括基板开始在卷筒上移动的第一位置和基板与卷筒分离的第二位置中的至少一个，差压室与包括缠绕空间的室和至少一个膜沉积室连通；将缠绕空间的第一压力设置为低于至少一个膜沉积室的第二压力；以及利用供给至卷筒的电力，在至少一个膜沉积室中执行膜沉积。
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公开(公告)号：CN101994102A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260542.4
申请日：2010-08-20
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C23C16/54
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/45519
Abstract: 本发明提供一种膜沉积装置，包括：CVD成膜室，其被设置在基板的移动路径上，并且具有通过CVD在基板上进行膜沉积的功能；处理室，其被设置在移动路径上的CVD成膜室的上游或下游，并且具有在基板上进行预定处理的功能；和差压室，其被设置在CVD成膜室和处理室之间，并且与CVD成膜室和处理室连通。所述差压室包括：抽真空装置；气体引入装置，其用于引入以下气体中的至少一种：惰性气体，和要被供给到CVD成膜室和处理室两者中的气体；和控制装置，其控制抽真空装置和气体引入装置以将差压室保持在比CVD成膜室和处理室更高的压力。
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