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公开(公告)号：CN115989110A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202180052733.8
申请日：2021-08-27
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 斋江俊之
IPC: B24B7/04
Abstract: 本发明提供一种经加工的基材的制造方法、包括上述经加工的基材的制造方法的半导体元件的制造方法、以及基材的加工性优异的临时粘接剂层形成用组合物，上述经加工的基材的制造方法包括：在基材及支承体中的一个部件的表面形成临时粘接剂层的工序；利用研磨及磨削中的至少一种机构，将上述临时粘接剂层的、与和上述基材相接的表面相反的一侧的表面、或与和上述支承体相接的表面相反的一侧的表面平坦化的工序；使基材及支承体中未形成临时粘接剂层的部件与上述平坦化的表面接触的工序；及对上述基材的与和上述临时粘接剂层相接的面相反的一面进行加工的工序，上述临时粘接剂层含有无机填料。
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公开(公告)号：CN101397481A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810149126.X
申请日：2008-09-12
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：季铵阳离子；腐蚀抑制剂；在末端具有磺基的聚合物化合物；无机粒子；和有机酸，所述抛光液的pH值在1至7的范围内。
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公开(公告)号：CN101177602A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710165886.5
申请日：2007-11-07
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09K3/14 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种研磨液，该研磨液在半导体器件的化学机械平坦化方法中主要用于阻挡金属材料的研磨，所述化学机械平坦化方法中，将研磨液供给于研磨盘上的研磨垫，并且通过使该研磨垫与晶片的被研磨面接触并相对运动而进行研磨，该研磨液含有：(a)具有羧基和含有氧的烃部分结构的羧酸化合物、(b)胶态二氧化硅粒子、和(c)杂环化合物，所述研磨液的pH在2.5－4.5的范围。根据本发明可以提供在利用化学机械研磨的被研磨面的平坦化工序中能够以充分的研磨速度进行研磨、可以有效地抑制侵蚀的适于研磨半导体器件的阻挡金属材料的研磨液。
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公开(公告)号：CN103270435B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201180062073.8
申请日：2011-11-30
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , G02B5/20 , G02B5/201 , G03F7/0007 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/033 , H01L31/0232
Abstract: 提供一种用于固态摄影元件的彩色滤光片的感光性透明组成物，其含有(A)光聚合起始剂、(B)可聚合化合物以及(C)碱溶性树脂，其中由所述感光性透明组成物获得的固化膜对于波长为633纳米的光具有1.60至1.90的折射率。
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公开(公告)号：CN103270435A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062073.8
申请日：2011-11-30
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03F7/004 , G02B5/20 , G02B5/201 , G03F7/0007 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/033 , H01L31/0232
Abstract: 提供一种用于固态摄影元件的彩色滤光片的感光性透明组成物，其含有(A)光聚合起始剂、(B)可聚合化合物以及(C)碱溶性树脂，其中由所述感光性透明组成物获得的固化膜对于波长为633纳米的光具有1.60至1.90的折射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101255316B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200810009627.8
申请日：2008-02-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C23F3/00 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：双季铵阳离子；腐蚀抑制剂；和胶体二氧化硅，其中所述抛光液的pH值在2.5至5.0的范围内。根据本发明，可以提供能够实现优异阻挡层抛光速率以及抑制由于固体磨料粒的聚集而引起擦伤的产生的抛光液。
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公开(公告)号：CN101397480A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810130951.5
申请日：2008-09-17
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 斋江俊之
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321 , H01L21/768 , B24B29/02
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光液，所述抛光液包含：表面改性粒子，所述表面改性粒子包括具有选自Ti、Al、Zr和Si中的至少一种无机原子的有机聚合物粒子，所述至少一种无机原子通过存在于所述有机聚合物粒子的表面上的氧原子结合到所述有机聚合物粒子上；有机酸；具有至少两个羧基的唑化合物；以及氧化剂，所述抛光液具有1至7的pH值；并且还提供一种用于抛光半导体集成电路的阻挡层的抛光方法。
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公开(公告)号：CN117378044A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280035809.0
申请日：2022-05-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L23/29
Abstract: 本发明提供一种含聚酰亚胺部形成用组合物、使用了上述含聚酰亚胺部形成用组合物的接合体的制造方法、接合体、器件的制造方法及器件，所述含聚酰亚胺部形成用组合物使用于包括如下工序的接合体的制造方法：准备基板A的工序；在上述基板A的具备配线端子的面上形成含聚酰亚胺部的含聚酰亚胺部形成工序；准备基板B的工序；及将上述基板A的具有含聚酰亚胺部的面与上述基板B中的具备配线端子的面进行接合的接合工序，其中，上述含聚酰亚胺部为由上述含聚酰亚胺部形成用组合物形成的部件，上述含聚酰亚胺部的玻璃化转变温度比上述接合工序中的接合温度低。
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公开(公告)号：CN114450098B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202080066670.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B05D5/00 , B05D5/12 , B05D7/24 , B05D1/00 , C09D201/00 , C09D5/25 , H01L23/373
Abstract: 一种导热层的制造方法、应用了该导热层的制造方法的层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法，该导热层的制造方法是使用包含树脂、填料及溶剂且固体成分浓度小于90质量％的导热层形成用组合物来在支承体上制造热扩散系数为3.0×10‑7m2s‑1以上的导热层的制造方法，该导热层的制造方法包括：向支承体喷出导热层形成用组合物的喷出工序；及以在支承体上的每一个位置，从喷出导热层形成用组合物至导热层形成用组合物中的固体成分浓度在支承体上达到90质量％为止的第1溶剂减量时间成为10秒以上的方式，对导热层形成用组合物中的溶剂进行减量的溶剂减量工序。
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公开(公告)号：CN114450098A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080066670.7
申请日：2020-09-24
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B05D5/00 , B05D5/12 , B05D7/24 , B05D1/00 , C09D201/00 , C09D5/25 , H01L23/373
Abstract: 一种导热层的制造方法、应用了该导热层的制造方法的层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法，该导热层的制造方法是使用包含树脂、填料及溶剂且固体成分浓度小于90质量％的导热层形成用组合物来在支承体上制造热扩散系数为3.0×10‑7m2s‑1以上的导热层的制造方法，该导热层的制造方法包括：向支承体喷出导热层形成用组合物的喷出工序；及以在支承体上的每一个位置，从喷出导热层形成用组合物至导热层形成用组合物中的固体成分浓度在支承体上达到90质量％为止的第1溶剂减量时间成为10秒以上的方式，对导热层形成用组合物中的溶剂进行减量的溶剂减量工序。
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