固化物的制造方法、层叠体的制造方法及电子器件的制造方法

    公开(公告)号:CN116113884A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202180054236.1

    申请日:2021-08-17

    Abstract: 本发明提供一种即使在低温下固化的情况下,也可以得到断裂伸长率优异的固化物的固化物的制造方法、包含上述固化物的制造方法的层叠体的制造方法及包含上述固化物的制造方法或上述层叠体的制造方法的电子器件的制造方法。固化物的制造方法包括:膜形成工序,将特定的感光性树脂组合物适用于基材上而形成膜;曝光工序;显影工序,基于包含选自碱及产碱剂中的至少一种的化合物的显影液进行;以及加热工序,水的含量相对于上述显影液的总质量为50质量%以下。

    固化物的制造方法、层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN116075777A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202180054914.4

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明提供一种即使在低温下进行固化的情况下也可以获得断裂伸长率优异的固化物的固化物的制造方法、包括上述固化物的制造方法的层叠体的制造方法及包括上述固化物的制造方法或上述层叠体的制造方法的半导体器件的制造方法。固化物的制造方法、包括上述固化物的制造方法的层叠体的制造方法及包括上述固化物的制造方法或上述层叠体的制造方法的半导体器件的制造方法包括:膜形成工序,将特定的感光性树脂组合物适用于基材上而形成膜;曝光工序;显影工序;处理工序,使包含选自碱及产碱剂中的至少1种化合物的含碱处理液与上述图案接触;以及加热工序,上述含碱处理液中的水的含量为50质量%以下。

    固化物的制造方法、层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法以及处理液

    公开(公告)号:CN116635453A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202280008338.4

    申请日:2022-07-29

    Abstract: 本发明提供一种可以获得断裂伸长率优异的固化物的固化物的制造方法、包括上述固化物的制造方法的层叠体的制造方法及包括上述固化物的制造方法或上述层叠体的制造方法的半导体器件的制造方法,并且提供一种在上述固化物的制造方法中所使用的处理液。固化物的制造方法包括:膜形成工序,将包含环化树脂的前体的树脂组合物适用于基材上而形成膜;处理工序,使处理液与上述膜接触;及加热工序,在上述处理工序之后对上述膜进行加热,上述处理液包含选自具有酰胺基的碱性化合物及具有酰胺基的碱产生剂中的至少1种化合物。

    固化物的制造方法、层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN116234845A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202180064487.8

    申请日:2021-08-31

    Abstract: 本发明提供一种即使在低温下进行固化的情况下也可以获得断裂伸长率及耐化学性优异的固化物的固化物的制造方法、包括上述固化物的制造方法的层叠体的制造方法及包括上述固化物的制造方法或上述层叠体的制造方法的半导体器件的制造方法。固化物的制造方法包括:膜形成工序,将特定的感光性树脂组合物适用于基材上而形成膜;曝光工序,选择性地曝光膜;显影工序,通过显影液对曝光后的膜进行显影而形成图案;处理工序,使处理液与上述图案接触;以及加热工序,对上述处理工序后的图案进行加热,上述显影液及上述处理液中的至少一者包含选自碱及碱产生剂中的至少1种化合物。

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