公开(公告)号：CN103460395A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280016558.8

申请日：2012-04-04

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤圭吾 ,  宫下阳太 ,  祐谷重德

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02008 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1254 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/18 ,  C25D11/24 ,  C25D11/246 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12632

Abstract: 附有绝缘层的金属基板对于光电转换半导体层可以有效率地扩散碱金属离子，而可以提高光电转换组件的光电转换效率。附有绝缘层的金属基板包括至少单面具有金属铝(11)的金属基板以及由多孔氧化铝膜(20)与碱金属硅酸盐膜(30)所形成的复合构造层(90)，多孔氧化铝膜(20)在金属铝(11)上藉由阳极氧化所形成，碱金属硅酸盐膜(30)披覆多孔氧化铝膜(20)的细孔表面。在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与金属铝(11)的界面厚度1μm的位置以及在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与位于金属铝(11)的相反侧的上部层的界面1μm的位置之间的区域内的任意位置中，复合构造层(90)中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。

公开(公告)号：CN103548151A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280022934.4

申请日：2012-05-01

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 宫下阳太 ,  矢后栄郎 ,  祐谷重徳

IPC: H01L31/0465

CPC classification number: H01L31/0504 ,  H01L23/528 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/046 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置包括导电性基板，包含导电性材料；非导电性层，设在导电性基板的表面的至少一部分；多个半导体元件，设在所述非导电性层上；配线，电连接多个半导体元件；以及非导电性层与半导体元件或配线的至少1个电连接部。与导电性基板的电位差最大的半导体元件配置在由多个半导体元件组成的排列的几何学末端以外的位置。

公开(公告)号：CN102754218A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180008733.4

申请日：2011-02-02

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤圭吾 ,  中山龙一 ,  祐谷重德 ,  向井厚史 ,  铃木信也 ,  宫下阳太

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0392 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/18 ,  H01L31/03926 ,  H05K1/053 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2203/0315 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/12479

Abstract: 一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。

公开(公告)号：CN103460395B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201280016558.8

申请日：2012-04-04

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤圭吾 ,  宫下阳太 ,  祐谷重德

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02008 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1254 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/18 ,  C25D11/24 ,  C25D11/246 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/12458 ,  Y10T428/12632

Abstract: 本发明涉及附有绝缘层的金属基板及其制造方法以及半导体装置。附有绝缘层的金属基板对于光电转换半导体层可以有效率地扩散碱金属离子，而可以提高光电转换组件的光电转换效率。附有绝缘层的金属基板包括至少单面具有金属铝(11)的金属基板以及由多孔氧化铝膜(20)与碱金属硅酸盐膜(30)所形成的复合构造层(90)，多孔氧化铝膜(20)在金属铝(11)上藉由阳极氧化所形成，碱金属硅酸盐膜(30)披覆多孔氧化铝膜(20)的细孔表面。在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与金属铝(11)的界面厚度1μm的位置以及在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与位于金属铝(11)的相反侧的上部层的界面厚度1μm的位置之间的区域内的任意位置中，复合构造层(90)中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。

公开(公告)号：CN102754218B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201180008733.4

申请日：2011-02-02

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤圭吾 ,  中山龙一 ,  祐谷重德 ,  向井厚史 ,  铃木信也 ,  宫下阳太

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0392 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/18 ,  H01L31/03926 ,  H05K1/053 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2203/0315 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/12479

Abstract: 一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。