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公开(公告)号：CN102005463B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201010271200.2
申请日：2010-09-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 后藤崇
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/307 , H01L27/1461 , H01L27/14632 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明公开了摄像器件和摄像装置，摄像器件包括多个被设置在二维空间中的基板的上面上的具有预定间隙的第一电极，第二电极，同时面对多个第一电极和第二电极的第三电极，被设置在多个第一电极和第二电极和第三电极之间的光电转换层，多个信号读取部，至少一个电势调节部。第二电极被布置成紧邻于被布置在最外侧上的第一电极上，其中布置在最外侧上的第一电极和第二电极之间插入有预定间隙。多个信号读取部被连接到多个第一电极上，并且读出与在电转换层中产生并且被移动到多个第一电极的电荷对应的信号。至少一个电势调节部连接到第二电极上并且调节第二电极的电势，使得根据在光电转换层中产生的并且被移动到第二电极的电荷确定的第二电极的电势不超过预定的范围。
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公开(公告)号：CN109791983B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201780057197.4
申请日：2017-09-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10K85/60 , H01L21/336 , H01L29/786 , H10K10/46 , H10K71/16
Abstract: 本发明提供一种即使被图案化或暴露在高热中，也能够有效地抑制龟裂的产生或龟裂的扩散的有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。一种包含由下述通式(1)表示的分子量3000以下的化合物，且晶畴的尺寸为1nm以上且100nm以下的微晶有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。X、Y及Z表示特定的环构成原子。R1及R2表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R3及R4表示卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。m及n表示0～2的整数。
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公开(公告)号：CN107431125B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201680014948.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , C08L65/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明的目的在于：提供载流子迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体元件及其制造方法；提供适合作为有机半导体的新颖化合物；以及提供迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体膜及其制造方法、以及能够适当地形成上述有机半导体膜的有机半导体组合物。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有含有下述化合物的有机半导体层，该化合物具有式1所表示的重复结构单元、分子量为2,000以上。
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公开(公告)号：CN107431125A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014948.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , C08L65/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明的目的在于：提供载流子迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体元件及其制造方法；提供适合作为有机半导体的新颖化合物；以及提供迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体膜及其制造方法、以及能够适当地形成上述有机半导体膜的有机半导体组合物。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有含有下述化合物的有机半导体层，该化合物具有式1所表示的重复结构单元、分子量为2,000以上。
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公开(公告)号：CN102256068A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110133801.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 后藤崇
IPC: H04N5/335 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14609 , H01L27/14647 , H01L27/14667 , H04N5/355 , H04N5/3698 , H04N5/374
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置，所述固态成像装置包括光电转换层和MOS晶体管电路。光电转换层形成在半导体基板上。MOS晶体管电路读出与在光电转换层中产生并接着被收集的电荷相对应的信号并形成在半导体基板中，所述电荷具有给定极性。MOS晶体管电路包括电荷积聚部分、复位晶体管和输出晶体管。电荷积聚部分与光电转换层电连接。复位晶体管将电荷积聚部分的电位复位到复位电位。输出晶体管输出与电荷积聚部分的电位相对应的信号。复位晶体管和输出晶体管具有带电体，所述带电体的极性与给定极性相反。在MOS晶体管电路中，满足以下公式(1)：GND＜Vs≤GND+ΔV2+(Vdd/5)…(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102256068B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110133801.1
申请日：2011-05-18
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 后藤崇
IPC: H04N5/335 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14609 , H01L27/14647 , H01L27/14667 , H04N5/355 , H04N5/3698 , H04N5/374
Abstract: 本发明公开了一种固态成像装置，所述固态成像装置包括光电转换层和MOS晶体管电路。光电转换层形成在半导体基板上。MOS晶体管电路读出与在光电转换层中产生并接着被收集的电荷相对应的信号并形成在半导体基板中，所述电荷具有给定极性。MOS晶体管电路包括电荷积聚部分、复位晶体管和输出晶体管。电荷积聚部分与光电转换层电连接。复位晶体管将电荷积聚部分的电位复位到复位电位。输出晶体管输出与电荷积聚部分的电位相对应的信号。复位晶体管和输出晶体管具有带电体，所述带电体的极性与给定极性相反。在MOS晶体管电路中，满足以下公式(1)：GND＜Vs≤GND+ΔV2+(Vdd/5)…(1)。
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公开(公告)号：CN108780844B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201780017060.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种含有下述(a)～(c)的有机半导体组合物、使用了该组合物的有机薄膜晶体管的制造方法以及在有机半导体层具有上述(a)及(b)的有机薄膜晶体管：(a)特定分子量且特定结构的有机半导体聚合物；(b)特定分子量的绝缘性聚合物；(c)溶剂，上述有机半导体聚合物的重均分子量Mw1和上述绝缘性聚合物的重均分子量Mw2满足下述关系式：0.1≤Mw1/Mw2≤10，上述有机半导体组合物中的上述有机半导体聚合物的含量C1质量％和上述绝缘性聚合物的含量C2质量％满足下述关系式：0.1≤C1/C2≤10。
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公开(公告)号：CN109791983A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780057197.4
申请日：2017-09-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/40 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明提供一种即使被图案化或暴露在高热中，也能够有效地抑制龟裂的产生或龟裂的扩散的有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。一种包含由下述通式(1)表示的分子量3000以下的化合物，且晶畴的尺寸为1nm以上且100nm以下的微晶有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。X、Y及Z表示特定的环构成原子。R1及R2表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R3及R4表示卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。m及n表示0～2的整数。
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公开(公告)号：CN102447066B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110305331.2
申请日：2011-09-30
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L31/18 , H01L27/307 , H01L51/0026 , H01L51/4253 , H01L51/4273 , H01L51/441 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供光电转换元件，制造光电转换元件的方法和成像器件。所述光电转换元件包括成对电极和多个有机层。所述成对电极安置在基板上方。所述多个有机层介于所述成对电极之间，并且包括光电转换层和在所述成对电极中的一个电极上形成的给定有机层。所述一个电极是二维排列的像素电极中的一个。给定有机层具有在位于排列的像素电极之间的台阶部上方的相应位置中形成的凹部。凹部的角度θ小于50°，其中将在凹部上的给定点处的正切平面相对于基板的表面平面的倾角定义为θ。
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公开(公告)号：CN108780844A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017060.6
申请日：2017-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明提供一种含有下述(a)～(c)的有机半导体组合物、使用了该组合物的有机薄膜晶体管的制造方法以及在有机半导体层具有上述(a)及(b)的有机薄膜晶体管：(a)特定分子量且特定结构的有机半导体聚合物；(b)特定分子量的绝缘性聚合物；(c)溶剂，上述有机半导体聚合物的重均分子量Mw1和上述绝缘性聚合物的重均分子量Mw2满足下述关系式：0.1≤Mw1/Mw2≤10，上述有机半导体组合物中的上述有机半导体聚合物的含量C1质量％和上述绝缘性聚合物的含量C2质量％满足下述关系式：0.1≤C1/C2≤10。
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