半导体处理液、被处理物的处理方法、电子装置的制造方法

    公开(公告)号:CN119404296A

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN202380048102.8

    申请日:2023-06-15

    Abstract: 本发明的课题为提供一种在与含有选自Cu及Co中的至少1种金属的被对象物接触时对于上述金属的防腐蚀性优异并且对于被处理物表面的有机残渣的清洗性也优异的半导体处理液、以及被处理物的处理方法及电子装置的制造方法。本发明的处理液含有嘌呤化合物及胺化合物,嘌呤化合物包含选自嘌呤及嘌呤衍生物中的至少1种,胺化合物包含1种胺化合物A和与胺化合物A不同的1种或2种以上的胺化合物B这样的至少2种,胺化合物A为叔胺化合物,嘌呤化合物的含量相对于胺化合物的含量的质量比为0.0001~0.1。

    药液、处理方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115851274A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211059865.6

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明提供一种Al氧化物的蚀刻能力优异、Ga氧化物的蚀刻能力的抑制性优异、Al氧化物相对于Ga氧化物的蚀刻选择性也优异的药液及使用了上述药液的处理方法。一种药液,其包含磷酸或其盐、非质子性极性溶剂、水及具有羧基且不具有羟基的化合物或其盐,其中,磷酸或其盐的含量相对于药液的总质量为5.0质量%以下,非质子性极性溶剂的含量相对于药液的总质量为50.0质量%以上,水的含量相对于药液的总质量为2.0质量%以上且小于50.0质量%。

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