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公开(公告)号：CN113728449B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202080030609.7
申请日：2020-04-21
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种即使在低温条件下也能够制造载流子迁移率优异的有机薄膜晶体管的组合物。本发明的组合物含有下述式(1)所表示的化合物和下述式(S1)所表示的醇。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN109791983B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201780057197.4
申请日：2017-09-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10K85/60 , H01L21/336 , H01L29/786 , H10K10/46 , H10K71/16
Abstract: 本发明提供一种即使被图案化或暴露在高热中，也能够有效地抑制龟裂的产生或龟裂的扩散的有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。一种包含由下述通式(1)表示的分子量3000以下的化合物，且晶畴的尺寸为1nm以上且100nm以下的微晶有机半导体膜、使用了该有机半导体膜的有机半导体晶体管及该有机半导体晶体管的制造方法。X、Y及Z表示特定的环构成原子。R1及R2表示氢原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基，R3及R4表示卤素原子、烷基、烯基、炔基、芳基或杂芳基。m及n表示0～2的整数。
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公开(公告)号：CN107431125B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201680014948.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , C08L65/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明的目的在于：提供载流子迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体元件及其制造方法；提供适合作为有机半导体的新颖化合物；以及提供迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体膜及其制造方法、以及能够适当地形成上述有机半导体膜的有机半导体组合物。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有含有下述化合物的有机半导体层，该化合物具有式1所表示的重复结构单元、分子量为2,000以上。
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公开(公告)号：CN106165105B
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201580015681.1
申请日：2015-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C07D495/14 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0074 , C07D495/14 , C09B57/00 , C09D5/24 , H01L51/0007 , H01L51/0558 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种非发光性有机半导体器件用涂布液，其含有通式(2)表示的化合物和沸点为100℃以上的溶剂(通式(2)中，R11和R12各自独立地表示氢原子、烷基、烯基、炔基或烷氧基，也可以具有取代基，通式(2)中的芳香族部分可以取代有卤原子)，该涂布液的载流子迁移率高。本发明提供有机晶体管、化合物、非发光性有机半导体器件用有机半导体材料、有机晶体管用材料、有机晶体管的制造方法和有机半导体膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN105027205B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201480012971.6
申请日：2014-01-22
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G11B7/244 , B41M5/26 , G11B7/24 , G11B7/24035 , G11B7/24038
Abstract: 本发明提供一种保存性等长期稳定性优异、且可利用峰值功率小的激光器进行记录的光学信息记录介质。光学信息记录介质10具有1个以上的记录层14。记录层14包含单光子吸收染料结合至高分子化合物而形成的记录材料，与单光子吸收染料分散于高分子化合物中的状态相比，该记录材料中高分子化合物与单光子吸收染料的耦合强度较大。
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公开(公告)号：CN107431125A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680014948.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , C08L65/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05
Abstract: 本发明的目的在于：提供载流子迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体元件及其制造方法；提供适合作为有机半导体的新颖化合物；以及提供迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体膜及其制造方法、以及能够适当地形成上述有机半导体膜的有机半导体组合物。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有含有下述化合物的有机半导体层，该化合物具有式1所表示的重复结构单元、分子量为2,000以上。
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公开(公告)号：CN101052533A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200680001109.0
申请日：2006-03-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B41M5/26 , C07D487/22 , C09B47/04 , G11B7/24 , G11B7/244
CPC classification number: C07D487/22 , C09B47/00 , G11B7/245 , G11B7/248 , G11B7/2492 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/2542 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/25715 , Y10T428/24355 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供一种光学信息记录介质，所述光学信息记录介质通过使用440nm或更短波长的激光的辐照允许高密度的信息记录和复制，并且具有优异的记录和复制特性(特别是灵敏度和调制度)。一种光学记录介质，所述光学记录介质包含其上具有记录层的衬底，所述记录层通过使用440nm或更短波长的激光的辐照能够记录信息，其中所述记录层包含至少一种由式(I)表示的铂卟啉，其中R11至R18各自独立地表示氢原子或取代基。
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公开(公告)号：CN114401966B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202080064863.9
申请日：2020-09-04
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: C07D471/22 , C07D471/06 , C07D471/16 , C07D221/18 , C07D237/26 , H10K85/60 , H10K71/00
Abstract: 本发明的第一课题在于，提供一种收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法。另外，本发明的第二课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的组合物。另外，本发明的第三课题在于，提供一种能够用于收率及纯度优异的环状酰亚胺化合物的制造方法的中间体化合物。本发明的环状酰亚胺化合物的制造方法是一种使下述式(1)表示的化合物和至少1种胺化合物反应，获得下述式(2)表示的化合物的制造方法。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN111542939A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201880085108.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 富士胶片株式会社 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/30 , C08F20/36 , C08G61/12 , C08G73/10 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供一种具备含有特定的聚合物的有机半导体层的有机薄膜晶体管元件、优选作为该有机半导体层的有机半导体膜及其制造方法以及优选作为该有机半导体膜的构成材料的聚合物及组合物，该特定的聚合物具有包含特定的式所表示的结构的重复单元。
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