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公开(公告)号:CN105683835A
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201480058649.7
申请日:2014-10-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/038 , B32B27/00 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明是提供一种可形成良好的有机半导体图案的层叠体及用以制造该层叠体的有机半导体制造用套组、以及用于有机半导体制造用套组的有机半导体制造用光阻组合物。本发明为一种层叠体,其具有有机半导体膜、有机半导体膜上的保护膜、以及保护膜上的光阻膜,光阻膜包含感光性树脂组合物,该感光性树脂组合物含有产生生成酸的pKa为-1以下的有机酸的光酸产生剂(A)、以及与自光酸产生剂产生的酸反应而对于含有有机溶剂的显影液的溶解速度减小的树脂(B)。
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公开(公告)号:CN105474099B
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201480046127.5
申请日:2014-08-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种可在有机半导体上形成良好的图案的层叠体。本发明的层叠体在有机半导体膜的表面至少依次具有水溶性树脂膜、以及包含化学增幅型感光性树脂组合物的抗蚀剂膜,其中,化学增幅型感光性树脂组合物含有当在波长365nm时曝光100mJ/cm2以上时分解80摩尔%以上的光产酸剂,曝光部因难溶于包含有机溶剂的显影液而能够形成掩模图案,且在形成掩模图案后用作蚀刻的掩模。
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公开(公告)号:CN105683835B
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201480058649.7
申请日:2014-10-29
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G03F7/038 , B32B27/00 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/11 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明是提供一种可形成良好的有机半导体图案的层叠体及用以制造该层叠体的有机半导体制造用套组、以及用于有机半导体制造用套组的有机半导体制造用光阻组合物。本发明为一种层叠体,其具有有机半导体膜、有机半导体膜上的保护膜、以及保护膜上的光阻膜,光阻膜包含感光性树脂组合物,该感光性树脂组合物含有产生生成酸的pKa为‑1以下的有机酸的光酸产生剂(A)、以及与自光酸产生剂产生的酸反应而对于含有有机溶剂的显影液的溶解速度减小的树脂(B)。
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公开(公告)号:CN107406748B
公开(公告)日:2019-02-01
申请号:CN201680017383.0
申请日:2016-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J5/00 , C09J121/00 , C09J125/04 , C09J153/00 , H01L21/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种在半导体制造中能够抑制来源于临时粘接剂的残渣的套组及层叠体。本发明的半导体装置制造用套组具H备包含溶剂A的组合物、包含溶剂B的组合物及包含溶剂C的组合物,其中,该套组用于如下情况:在第一基板上,使用包含临时粘接剂与溶剂A的临时粘接剂组合物形成临时粘接剂层之后,进行使用包含溶剂B的组合物清洗第一基板上的剩余临时粘接剂的至少一部分的工序及经由临时粘接剂层贴合第一基板与第二基板来制造层叠体的工序之后,在小于40℃下,从层叠体剥离第一基板及第二基板中的一个,并使用包含溶剂C的组合物清洗残留在第一基板及第二基板中的至少一个的临时粘接剂时,其中,溶剂A、溶剂B及溶剂C分别满足规定的蒸气压及饱和溶解度。
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公开(公告)号:CN107406748A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680017383.0
申请日:2016-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09J201/00 , C09J5/00 , C09J121/00 , C09J125/04 , C09J153/00 , H01L21/02 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/022 , C09J5/06 , C09J121/00 , C09J125/04 , C09J153/00 , C09J201/00 , H01L21/02057 , H01L21/02304 , H01L21/304 , H01L21/31133 , H01L21/6835
Abstract: 本发明提供一种在半导体制造中能够抑制来源于临时粘接剂的残渣的套组及层叠体。本发明的半导体装置制造用套组具H备包含溶剂A的组合物、包含溶剂B的组合物及包含溶剂C的组合物,其中,该套组用于如下情况:在第一基板上,使用包含临时粘接剂与溶剂A的临时粘接剂组合物形成临时粘接剂层之后,进行使用包含溶剂B的组合物清洗第一基板上的剩余临时粘接剂的至少一部分的工序及经由临时粘接剂层贴合第一基板与第二基板来制造层叠体的工序之后,在小于40℃下,从层叠体剥离第一基板及第二基板中的一个,并使用包含溶剂C的组合物清洗残留在第一基板及第二基板中的至少一个的临时粘接剂时,其中,溶剂A、溶剂B及溶剂C分别满足规定的蒸气压及饱和溶解度。
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公开(公告)号:CN107075187A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201580052955.4
申请日:2015-09-25
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C08L21/00 , B32B25/08 , B32B27/00 , C08J5/18 , C08K5/00 , C08L53/02 , C09J7/00 , C09J11/06 , C09J121/00 , C09J125/08 , C09J153/02 , H01L21/02
CPC classification number: C09J11/06 , B32B3/08 , B32B7/04 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B9/043 , B32B15/06 , B32B25/04 , B32B25/08 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B25/16 , B32B25/18 , B32B25/20 , B32B27/06 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/26 , B32B27/28 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/304 , B32B27/306 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/42 , B32B2250/03 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2270/00 , B32B2307/30 , B32B2307/306 , B32B2307/51 , B32B2307/58 , B32B2307/584 , B32B2307/732 , B32B2307/748 , B32B2457/14 , C08J3/092 , C08J5/18 , C08J2309/06 , C08J2353/02 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J121/00 , C09J153/025 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2453/00 , H01L21/02 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386
Abstract: 提供一种组合物、片的制造方法、片、层叠体及带有元件晶片的层叠体,所述组合物的弹性体的溶解性良好,可提高固体成分浓度,可形成干燥性、表面状态及耐热性优异的膜。所述组合物含有:自25℃起以20℃/min升温的5%热质量减少温度为375℃以上的弹性体;下述通式(1)所表示的沸点为160℃以上的溶剂;及沸点小于120℃的溶剂。通式(1)中,R1~R6分别独立地表示氢原子或脂肪族烃基。
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公开(公告)号:CN106459680A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580030853.2
申请日:2015-06-09
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/683
Abstract: 提供可容易地解除元件晶片与支撑体的暂时接着的暂时接着用层叠体、暂时接着用层叠体的制造方法及带有元件晶片的层叠体。本发明的暂时接着用层叠体是用以将元件晶片的元件面与支撑体能够剥离地暂时接着的暂时接着用层叠体,其包含热塑性树脂膜、含有脱模剂的层,所述脱模剂选自具有硅氧烷键的化合物及具有硅原子与氟原子的化合物;且在热塑性树脂膜的元件侧的表面,且是元件面对应的区域至少包含含有脱模剂的层。在将元件晶片与支撑体暂时接着后,自元件晶片的元件面剥离支撑体时,支撑体与至少包含热塑性树脂膜的层叠体自元件剥离。
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公开(公告)号:CN105474099A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480046127.5
申请日:2014-08-22
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种可在有机半导体上形成良好的图案的层叠体。本发明的层叠体在有机半导体膜的表面至少依次具有水溶性树脂膜、以及包含化学增幅型感光性树脂组合物的抗蚀剂膜,其中,化学增幅型感光性树脂组合物含有当在波长365nm时曝光100mJ/cm2以上时分解80摩尔%以上的光产酸剂,曝光部因难溶于包含有机溶剂的显影液而能够形成掩模图案,且在形成掩模图案后用作蚀刻的掩模。
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公开(公告)号:CN107405870B
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201680017461.7
申请日:2016-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B32B7/12 , B32B27/00 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种即使将晶片超薄化也可难以产生翘曲的层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。一种层叠体,依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材,其中,临时粘接膜在25℃时的以JIS K 7161:1994为基准的拉伸弹性模量E为25~2000MPa,在25℃温度下固定层叠体的第一基材及第二基材中的任一个,对另一基材的端部,从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度在与另一基材的基材面垂直的方向,提拉另一基材的端部,由此可进行剥离,并且使用力传感器测定提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
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公开(公告)号:CN107405870A
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201680017461.7
申请日:2016-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B32B7/12 , B32B27/00 , C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种即使将晶片超薄化也可难以产生翘曲的层叠体、临时粘接用组合物及临时粘接膜。一种层叠体,依次相互相邻而具有第一基材、临时粘接膜及第二基材,其中,临时粘接膜在25℃时的以JIS K 7161:1994为基准的拉伸弹性模量E为25~2000MPa,在25℃温度下固定层叠体的第一基材及第二基材中的任一个,对另一基材的端部,从与临时粘接膜的界面以50mm/分钟的速度在与另一基材的基材面垂直的方向,提拉另一基材的端部,由此可进行剥离,并且使用力传感器测定提拉时所施加的力时的力为0.33N/mm以下。
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