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公开(公告)号：CN102031204A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010297139.9
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: G03F7/425 , C09K13/00 , C09K13/06 , C11D7/08 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3245 , C11D7/34 , C11D7/5013 , C11D11/0047 , G03F7/422 , G03F7/423 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/32134 , H01L21/32136 , H01L21/32138 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN109219587B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201780033977.5
申请日：2017-05-30
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: A61L27/58 , A61L27/12 , A61L27/38 , A61L27/22 , A61L27/56 , A61L27/34 , A61L27/42 , C04B35/447 , B28B1/30 , B29C67/00 , C07K14/78
Abstract: 本发明的课题在于提供一种迅速且以高造型精度制造具有高强度的磷酸钙成型体的方法、利用上述方法制造的磷酸钙成型体及移植用材料。根据本发明，提供一种磷酸钙成型体的制造方法，其包括：工序a，在基板上形成含有Ca/P的原子数比为1.4～1.8的磷酸钙粉末的层；及工序b，从喷嘴部以液滴状态喷出有机酸的钙盐相对于水的溶解度为1g/100mL以下且pH为3.5以下的有机酸溶液，并将上述有机酸溶液滴加于在上述工序a中形成的含有磷酸钙粉末的层，从而制造磷酸钙成型体。
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公开(公告)号：CN104244999B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380013634.4
申请日：2013-03-12
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: A61L27/00
CPC classification number: A61L27/222 , A61L27/52 , A61L27/54 , A61L2430/02 , A61L2430/34 , A61L2430/40
Abstract: 本发明涉及一种组织修复材料的制造方法，其包含下述(a)～(c)的工序：(a)使用含有溶解于水性介质的明胶的明胶溶液来获得含有该明胶且具有网眼结构的含明胶中间体，(b)进行所述含明胶中间体的干燥，(c)在所述含明胶中间体的干燥之前或之后进行所述明胶的交联。
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公开(公告)号：CN102206559B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110078415.7
申请日：2011-03-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L21/02076 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供不损伤布线结构、层间绝缘结构而能够将半导体基板上的等离子体蚀刻残渣充分除去的洗涤组合物、洗涤方法和使用了上述洗涤组合物的半导体装置的制造方法。提供用于除去在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的洗涤组合物、洗涤方法以及包含通过上述洗涤组合物洗涤在半导体基板上形成的等离子体蚀刻残渣的工序的半导体装置的制造方法，所述洗涤组合物的特征在于，含有57～95重量％的(成分a)水、1～40重量％的(成分b)具有仲羟基和/或叔羟基的羟基化合物、(成分c)有机酸、以及(成分d)季铵化合物，pH为5～10。
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公开(公告)号：CN109311224B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201780035747.2
申请日：2017-06-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于能够提供一种以高造型精度制造尽可能不含对活体有害的成分且活体适应性高的明胶成型体的方法、以及通过上述方法制造的明胶成型体。根据本发明，提供一种明胶成型体的制造方法，其包括：工序a，在基板上形成含有经将明胶水溶液风干的粒子的平均粒径为25～200μm的粉末的层；及工序b，相对于在工序a中形成的层，从喷嘴部喷射含有沸点为120℃以下的醇类的水溶液的液滴并使其飞翔，且使上述液滴着落于在上述工序a中形成的层上，由此形成明胶成型体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107022421B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201610815832.8
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN107022421A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610815832.8
申请日：2010-09-28
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种清洗组合物，其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其特征在于，包含(成分a)水、(成份b)羟基胺及/或其盐、(成分c)碱性有机化合物和(成分d)有机酸，所述清洗组合物的pH为7～9。还提供使用所述清洗组合物的清洗方法及半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN105025940A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201480011005.2
申请日：2014-02-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: A61L27/222 , A61L27/3604 , A61L27/3608 , A61L27/38 , A61L27/3834 , A61L27/3886 , A61L27/56 , A61L27/58 , A61L2300/64 , A61L2430/22 , C12N5/0068 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不含有戊二醛那样的具有细胞毒性的物质、且抑制结构体中的移植后的细胞坏死(即，细胞存活率优异)的细胞移植用细胞结构体。根据本发明，提供一种细胞移植用细胞结构体，其为含有不含戊二醛的生物亲和性高分子块和至少一种细胞、且在多个细胞间的间隙内配置有多个生物亲和性高分子块的细胞移植用细胞结构体，所述生物亲和性高分子块的振实密度为10mg/cm3以上且500mg/cm3以下、或者所述高分子块的二维截面像的截面积的平方根÷周长的值为0.01以上且0.13以下。
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公开(公告)号：CN109219587A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780033977.5
申请日：2017-05-30
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种迅速且以高造型精度制造具有高强度的磷酸钙成型体的方法、利用上述方法制造的磷酸钙成型体及移植用材料。根据本发明，提供一种磷酸钙成型体的制造方法，其包括：工序a，在基板上形成含有Ca/P的原子数比为1.4～1.8的磷酸钙粉末的层；及工序b，从喷嘴部以液滴状态喷出有机酸的钙盐相对于水的溶解度为1g/100mL以下且pH为3.5以下的有机酸溶液，并将上述有机酸溶液滴加于在上述工序a中形成的含有磷酸钙粉末的层，从而制造磷酸钙成型体。
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公开(公告)号：CN105025940B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201480011005.2
申请日：2014-02-27
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: A61L27/222 , A61L27/3604 , A61L27/3608 , A61L27/38 , A61L27/3834 , A61L27/3886 , A61L27/56 , A61L27/58 , A61L2300/64 , A61L2430/22 , C12N5/0068 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明的课题在于提供一种不含有戊二醛那样的具有细胞毒性的物质、且抑制结构体中的移植后的细胞坏死(即，细胞存活率优异)的细胞移植用细胞结构体。根据本发明，提供一种细胞移植用细胞结构体，其为含有不含戊二醛的生物亲和性高分子块和至少一种细胞、且在多个细胞间的间隙内配置有多个生物亲和性高分子块的细胞移植用细胞结构体，所述生物亲和性高分子块的振实密度为10mg/cm3以上且500mg/cm3以下、或者所述高分子块的二维截面像的截面积的平方根÷周长的值为0.01以上且0.13以下。
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