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公开(公告)号：CN101521023A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200910006814.5
申请日：2009-02-27
Applicant: 富士电机电子技术株式会社 , 学校法人早稻田大学
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种图案化的磁记录介质的制造方法，包括不使磁性层(3)的磁特性劣化地彻底剥离磁性层(3)上的刻蚀抗蚀剂的工序，刻蚀抗蚀剂是在磁性层(3)的刻蚀中使用的。其特征在于，在磁性层(3)的刻蚀中所使用的刻蚀抗蚀剂的剥离工序包括下述工序：在减压下，向此磁性层(3)或第1保护层(4)上的抗蚀剂照射受激准分子VUV激光的工序；以及将残留在磁性层(3)或第1保护层(4)上的抗蚀剂覆膜(5)浸渍到抗蚀剂剥离剂溶液中并清洗去除的工序。
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公开(公告)号：CN114381802B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202111232202.5
申请日：2021-10-22
Applicant: 国立大学法人长冈技术科学大学 , 泽边厚仁 , 木村丰 , 学校法人早稻田大学 , 株式会社迪思科
Abstract: 本发明涉及金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法。提供用于形成高品质的单晶金刚石的金刚石形成用结构体、及该结构体的制造方法。金刚石形成用结构体(10)由基底基板(11)和在基底基板(11)上形成的Ir薄膜(12)构成。基底基板(11)的热膨胀系数为金刚石的热膨胀系数的5倍以下，并且基底基板(11)的熔点为700℃以上。Ir薄膜(12)的X射线衍射图案中的峰的角度与基底基板(11)的X射线衍射图案中的峰的角度不同。
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公开(公告)号：CN114381802A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111232202.5
申请日：2021-10-22
Applicant: 国立大学法人长冈技术科学大学 , 泽边厚仁 , 木村丰 , 学校法人早稻田大学 , 株式会社迪思科
Abstract: 本发明涉及金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法。提供用于形成高品质的单晶金刚石的金刚石形成用结构体、及该结构体的制造方法。金刚石形成用结构体(10)由基底基板(11)和在基底基板(11)上形成的Ir薄膜(12)构成。基底基板(11)的热膨胀系数为金刚石的热膨胀系数的5倍以下，并且基底基板(11)的熔点为700℃以上。Ir薄膜(12)的X射线衍射图案中的峰的角度与基底基板(11)的X射线衍射图案中的峰的角度不同。
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