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公开(公告)号:CN101521023A
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200910006814.5
申请日:2009-02-27
Applicant: 富士电机电子技术株式会社 , 学校法人早稻田大学
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明提供一种图案化的磁记录介质的制造方法,包括不使磁性层(3)的磁特性劣化地彻底剥离磁性层(3)上的刻蚀抗蚀剂的工序,刻蚀抗蚀剂是在磁性层(3)的刻蚀中使用的。其特征在于,在磁性层(3)的刻蚀中所使用的刻蚀抗蚀剂的剥离工序包括下述工序:在减压下,向此磁性层(3)或第1保护层(4)上的抗蚀剂照射受激准分子VUV激光的工序;以及将残留在磁性层(3)或第1保护层(4)上的抗蚀剂覆膜(5)浸渍到抗蚀剂剥离剂溶液中并清洗去除的工序。
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公开(公告)号:CN103080294B
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201180041898.1
申请日:2011-07-08
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 国立大学法人京都大学 , 学校法人早稻田大学
Abstract: 孔的一对侧面中的一个侧面通过气体透过膜与第1流路的一部分区间相接,另外一个侧面通过气体透过膜与第2流路的一部分区间相接。在孔内填充了细胞培养液的状态下,通过用第1流路和第2流路相互流通特定成分浓度不同的高浓度气体和低浓度气体,从而在孔内形成特定成分的浓度分布。(56)对比文件Joe F. Lo et.al.,.Oxygen gradientsfor open well cellular culturesviamicrofluidic substrates《.Lab on a Chip》.2010,P.2394–2401.Ning Li,et.al.Microfluidic generationand dynamically switching of oxygengradients applied to the observation ofcell aerotactic behaviour.《Microelectronic Engineering》.2011,P.1698–1701.
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公开(公告)号:CN103080294A
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN201180041898.1
申请日:2011-07-08
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 国立大学法人京都大学 , 学校法人早稻田大学
Abstract: 孔的一对侧面中的一个侧面通过气体透过膜与第1流路的一部分区间相接,另外一个侧面通过气体透过膜与第2流路的一部分区间相接。在孔内填充了细胞培养液的状态下,通过用第1流路和第2流路相互流通特定成分浓度不同的高浓度气体和低浓度气体,从而在孔内形成特定成分的浓度分布。
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