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公开(公告)号：CN101259789A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200710196831.0
申请日：2007-12-11
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646
Abstract: 本发明提供液滴喷射头、液滴喷射装置和图像形成装置。本发明的目的在于实现液滴喷射头、液滴喷射装置和图像形成装置的紧凑。为了实现该目的，在作为用于将集墨腔(38)内的墨提供到压力腔(50)的流路的供墨用通孔(112)和供墨用通孔(44)的内壁形成连接线(86)。通过以连接线(86)来连接上电极(54)和连接到驱动IC(60)的金属线(90)，从而电连接上电极(54)和驱动IC(60)。因此，与在分立的孔形成用于布线的通孔和墨流路径的情况相比，在顶板(41)中形成较少的孔。因此，可以拓宽电布线区域，结果可以使得喷墨记录头(32)紧凑。
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公开(公告)号：CN1277672C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN02107136.5
申请日：2002-03-08
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41C1/147 , B41M5/0256 , B41N1/24 , H05K3/1225
Abstract: 一种包括一个可以透过油墨的油墨可透过构件，和一个粘贴到油墨可透过构件和阻挡油墨透过的油墨阻挡材料的丝网印刷版。将流体油墨阻挡材料喷射到油墨可透过构件上。作为替代，将流体油墨阻挡材料喷射到一个中间转移构件上，然后转移到油墨可透过构件。油墨阻挡材料在油墨可透过构件上固化，从而在油墨可透过构件上形成一个油墨阻挡材料的图样。优选使用一种喷墨装置喷射油墨阻挡材料。
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公开(公告)号：CN1408546A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02107136.5
申请日：2002-03-08
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41C1/147 , B41M5/0256 , B41N1/24 , H05K3/1225
Abstract: 一种包括一个可以透过油墨的油墨可透过构件，和一个粘贴到油墨可透过构件和阻挡油墨透过的油墨阻挡材料的丝网印刷版。将流体油墨阻挡材料喷射到油墨可透过构件上。作为替代，将流体油墨阻挡材料喷射到一个中间转移构件上，然后转移到油墨可透过构件。油墨阻挡材料在油墨可透过构件上固化，从而在油墨可透过构件上形成一个油墨阻挡材料的图样。优选使用一种喷墨装置喷射油墨阻挡材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101998711A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010139155.5
申请日：2010-03-18
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H01L33/40 , H01L27/15 , H01L33/0041 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及发光元件的制造方法。该发光元件包括半导体层、金电极层、绝缘膜、阻挡金属层和铝配线层。金电极层形成在半导体层的一部分上并与该半导体层电连接。金电极层由包括金在内的金属制成。绝缘膜将半导体层覆盖并具有与金电极层对应的接触开口。阻挡金属层将金电极层、以及绝缘膜的位于接触开口附近的上表面覆盖。铝配线层形成在阻挡金属层上并与该阻挡金属层电连接。
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公开(公告)号：CN101259789B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200710196831.0
申请日：2007-12-11
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1642 , B41J2/1646
Abstract: 本发明提供液滴喷射头、液滴喷射装置和图像形成装置。本发明的目的在于实现液滴喷射头、液滴喷射装置和图像形成装置的紧凑。为了实现该目的，在作为用于将集墨腔(38)内的墨提供到压力腔(50)的流路的供墨用通孔(112)和供墨用通孔(44)的内壁形成连接线(86)。通过以连接线(86)来连接上电极(54)和连接到驱动IC(60)的金属线(90)，从而电连接上电极(54)和驱动IC(60)。因此，与在分立的孔形成用于布线的通孔和墨流路径的情况相比，在顶板(41)中形成较少的孔。因此，可以拓宽电布线区域，结果可以使得喷墨记录头(32)紧凑。
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公开(公告)号：CN101998711B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010139155.5
申请日：2010-03-18
Applicant: 富士施乐株式会社
CPC classification number: H01L33/40 , H01L27/15 , H01L33/0041 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及发光元件的制造方法。该发光元件包括半导体层、金电极层、绝缘膜、阻挡金属层和铝配线层。金电极层形成在半导体层的一部分上并与该半导体层电连接。金电极层由包括金在内的金属制成。绝缘膜将半导体层覆盖并具有与金电极层对应的接触开口。阻挡金属层将金电极层、以及绝缘膜的位于接触开口附近的上表面覆盖。铝配线层形成在阻挡金属层上并与该阻挡金属层电连接。
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公开(公告)号：CN102254936B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201010560427.9
申请日：2010-11-18
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L29/201 , H01L29/43 , H01L23/532 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/76834 , H01L29/452 , H01L33/30 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体装置，包括：Au合金电极、层间绝缘膜、金属布线、以及氧化膜。所述Au合金电极形成在化合物半导体上。所述层间绝缘膜形成在所述Au合金电极上。所述金属布线通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接。所述氧化膜形成在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。
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公开(公告)号：CN102254936A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010560427.9
申请日：2010-11-18
Applicant: 富士施乐株式会社
IPC: H01L29/201 , H01L29/43 , H01L23/532 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/76834 , H01L29/452 , H01L33/30 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/1301 , H01L2924/00
Abstract: 一种化合物半导体装置，包括：Au合金电极、层间绝缘膜、金属布线、以及氧化膜。所述Au合金电极形成在化合物半导体上。所述层间绝缘膜形成在所述Au合金电极上。所述金属布线通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接。所述氧化膜形成在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。
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