公开(公告)号：CN102254936B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201010560427.9

申请日：2010-11-18

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 村田道昭 ,  宇佐美浩之 ,  太田恭久 ,  高桥均

IPC: H01L29/201 ,  H01L29/43 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/452 ,  H01L33/30 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种化合物半导体装置，包括：Au合金电极、层间绝缘膜、金属布线、以及氧化膜。所述Au合金电极形成在化合物半导体上。所述层间绝缘膜形成在所述Au合金电极上。所述金属布线通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接。所述氧化膜形成在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。

公开(公告)号：CN102254936A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010560427.9

申请日：2010-11-18

Applicant: 富士施乐株式会社

Inventor： 村田道昭 ,  宇佐美浩之 ,  太田恭久 ,  高桥均

IPC: H01L29/201 ,  H01L29/43 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/452 ,  H01L33/30 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/24 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种化合物半导体装置，包括：Au合金电极、层间绝缘膜、金属布线、以及氧化膜。所述Au合金电极形成在化合物半导体上。所述层间绝缘膜形成在所述Au合金电极上。所述金属布线通过在所述层间绝缘膜中所形成的接触孔而与所述Au合金电极相连接。所述氧化膜形成在所述Au合金电极和层间绝缘膜之间的界面处，该氧化膜的主成分为所述化合物半导体的构成元素。