公开(公告)号：CN114499497A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210092878.7

申请日：2022-01-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  陈旋 ,  高珊 ,  卢文娟 ,  赵强 ,  郝礼才 ,  蔺智挺 ,  彭春雨 ,  陈军宁

IPC: H03K19/0185 ,  H03K19/00 ,  H03K19/003

Abstract: 本发明公开了一种强下拉锁存结构电平转换电路，包括两极输入反相器、强下拉锁存电路和DLS输出反相器；所述强下拉锁存电路包括由四个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管构成的两部分结构，每一部分结构均包括一个RVT上拉PMOS晶体管、一个HVT中间上拉PMOS晶体管和一个LVT下拉NMOS晶体管，每一部分RVT上拉PMOS晶体管的栅极均连接于另一部分LVT下拉NMOS晶体管的漏极，构成强下拉锁存电路；两极输入反相器包括两个级联关系的反相器；DLS输出反相器作为输出反相器电路。本发明保证了先进工艺下超低内核电压转换为I/O电压的可靠性，而且具有电平转换范围广、转换速度快、可靠性高的优点。