公开(公告)号：CN116469433A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310463317.8

申请日：2023-04-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  金芊 ,  吴秀龙 ,  彭春雨 ,  戴成虎 ,  卢文娟 ,  赵强 ,  周永亮 ,  李鑫 ,  刘玉 ,  郝礼才

IPC: G11C11/417 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

Abstract: 本发明涉及动态随机存取存储技术领域，更具体的，涉及一种自回存10T‑SRAM单元、基于该种自回存10T‑SRAM单元构建的阵列结构、以及基于该种阵列结构构建的存内运算全阵列激活电路。本发明提供的自回存10T‑SRAM单元，通过复用电源端和地端，控制各个晶体管之间导通与关断相互配合，在单元内部进行充放电。不仅可以多种存内运算，还能实现自动回存运算结果，不需要额外的面积开销和功耗开销，应用场景更加广泛；并且两个操作符的输入相互独立，比传统结构更加灵活。