公开(公告)号：CN119362578A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411567369.0

申请日：2024-11-05

Applicant: 安徽大学绿色产业创新研究院

Inventor： 唐永明 ,  侯名 ,  牛永正 ,  林子涵 ,  孙逊逊 ,  肖光裕 ,  王志同 ,  郭小辉 ,  黄志祥

IPC: H02J3/38 ,  H02J3/12 ,  H02J3/16 ,  H02J3/00 ,  H02J13/00

Abstract: 本发明公开了基于电压阈值和持续时间的低电压穿越响应控制方法，包括：实时采集电网三相电压Ua、Ub、Uc，并根据电网三相电压Ua、Ub、Uc计算出并网点的等效电压Um；获取预设的额定电压Un，并基于预设的额定电压Un、并网点的等效电压Um、预设故障穿越判定策略确定出预警标志位置，预警标志位置包括0和1；当在预设时间周期内，预警标志位置具体为1的状态持续保持时，基于并网点的等效电压Um、预设的额定电压Un、故障等级策略确定出故障等级，故障等级包括故障一级、故障二级；根据故障等级，调控电网电压。本申请基于电压阈值和持续时间的低电压穿越响应控制方法提高了操作人员对电网状态变化的感知和响应速度，减少了人为延误的可能性。

公开(公告)号：CN119922956A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510013358.6

申请日：2025-01-06

Applicant: 安徽大学

Inventor： 徐祖雨 ,  王家乐 ,  曹寿伟 ,  王志同 ,  朱云来 ,  吴祖恒 ,  代月花

IPC: H10D30/67 ,  H10D64/68 ,  H10D30/01 ,  H10D62/82

Abstract: 本发明公开基于异质结的高开关比整流率的气隙晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域；基于异质结的高开关比整流率的气隙晶体管包括：导电衬底，导电衬底上端设置有绝缘介质层，绝缘介质层上端设置有源电极，源电极上端设置有第一个二维材料层，第一个二维材料层上设置有第二个二维材料层，作为漏电极；所述第一个二维材料层采用MoS2，源电极材质为铂，第二个二维材料层采用石墨烯，MoS2与铂接触形成高肖特基势垒，有助于提高整流能力；并且将MoS2与石墨烯结合，可以形成具有更高载流子迁移率的异质结，这对提高场效应晶体管(FETs)的开关速度和降低功耗至关重要。

公开(公告)号：CN119780346A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411956016.X

申请日：2024-12-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李相辉 ,  邵宇鹏 ,  张佳怡 ,  林子涵 ,  周子原 ,  彭金龙 ,  李赵斌 ,  王志同 ,  姚凡 ,  马明奇 ,  李嘉豪

IPC: G01N33/00

Abstract: 本发明公开了一种用于检测多种有害气体的传感器集成系统，涉及气体检测领域，包括：电源模块、多功能传感器阵列、信号处理模块和主控模块；多功能传感器阵列用于获取流过其的气体的气体响应电信号；信号处理模块用于对气体响应电信号进行处理，得到气体响应数字信号；主控模块还用于对气体响应数字信号进行预处理、特征提取和识别，得到气体识别结果；其中，气体识别结果包括无有害气体或有害气体的种类和浓度；其中，主控模块中预设有用于进行定性分析的气体识别卷积神经网络模型和用于进行定量分析的气体定量分析模型。本发明不仅提高了系统检测的准确性，也大幅提升了处理效率。

公开(公告)号：CN119907390A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510054596.1

申请日：2025-01-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 徐祖雨 ,  潘宇航 ,  曹寿伟 ,  王志同 ,  朱云来 ,  吴祖恒 ,  代月花

IPC: H10K10/43 ,  H10K10/82 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开一种基于MoS2的双极性离子门控晶体管及其制备方法，属于半导体设计领域；晶体管包括导电衬底、设置在导电衬底上的绝缘介质层、设置在绝缘介质层上的栅电极、源电极和漏电极、设置在源电极和漏电极上的二维材料层、以及设置在二维材料层、源电极、漏电极以及栅电极上的离子液体；其中，二维材料层材料采用MoS2。采用二硫化钼作为半导体通道层，采用离子液体作为电介质层，离子液体上层通常起到顶栅的作用，在低外加电压下可以方便地形成纳米级厚度的双电层，可以表现出极大的栅极电容，因此可以显着降低工作栅极电压。

公开(公告)号：CN119783741A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411980995.2

申请日：2024-12-31

Applicant: 安徽大学

Inventor： 丁家睦 ,  钟灵毓秀 ,  林子涵 ,  周子原 ,  王志同 ,  姚凡 ,  朱晓雯 ,  郝建红 ,  牟绍文 ,  牛永正 ,  徐德峰 ,  洪琪

IPC: G06N3/063 ,  G06N3/0464

Abstract: 本发明公开了一种基于RISC‑V的卷积神经网络加速处理系统及其协处理器，包括：主处理器和协处理器，主处理器用于向协处理器发送自定义的输入数据指令，协处理器用于基于输入数据指令向主处理器发送存储请求信号；主处理器用于基于存储请求信号将主处理器的数据紧耦合存储器中存储的输入数据加载至协处理器中，协处理器用于将输入数据进行缓存；当输入数据加载完毕后，主控制器用于向协处理器发送卷积运算指令；协处理器用于基于卷积运算指令对输入数据进行卷积计算得到并缓存输出数据；主处理器还用于向协处理器发送输出数据指令；协处理器还用于基于输出数据指令将输出数据写回至主处理器。本发明能够解决CPU计算并行度不高和GPU功耗过高的问题。