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公开(公告)号：CN117273155B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202311252233.6
申请日：2023-09-26
Applicant: 安徽大学
IPC: G06N10/20 , G06N10/60 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/0442 , G06N3/08 , G06F30/18 , G06F30/13 , G06F30/27
Abstract: 本发明公开一种基于量子近似优化算法的图最大分割方法及系统，方法包括将路网的每个路口作为一个节点，并利用边概率表示路口之间的连通关系，构建图；根据图生成p层QAOA电路；S在p＝1时，使用第一神经网络预测QAOA电路第一层的初始变分参数；在p＝2时，基于第一层的初始变分参数，采用第二神经网络预测QAOA电路第一层和第二层的初始变分参数；在p≥3时，利用电路第一层和第二层的初始变分参数，并从第三层开始采用线性差值算法，在当前层前一层的初始变分参数的基础上加上其前两层之间参数的差值，作为当前层的初始变分参数；基于电路各层的初始变分参数运行QAOA电路，得到路网划分近似解；本发明在处理路网图最大分割问题上获得了良好的近似比。
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公开(公告)号：CN119922956A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510013358.6
申请日：2025-01-06
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开基于异质结的高开关比整流率的气隙晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域；基于异质结的高开关比整流率的气隙晶体管包括：导电衬底，导电衬底上端设置有绝缘介质层，绝缘介质层上端设置有源电极，源电极上端设置有第一个二维材料层，第一个二维材料层上设置有第二个二维材料层，作为漏电极；所述第一个二维材料层采用MoS2，源电极材质为铂，第二个二维材料层采用石墨烯，MoS2与铂接触形成高肖特基势垒，有助于提高整流能力；并且将MoS2与石墨烯结合，可以形成具有更高载流子迁移率的异质结，这对提高场效应晶体管(FETs)的开关速度和降低功耗至关重要。
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公开(公告)号：CN118350427A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410457637.7
申请日：2024-04-16
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种多功能可重构神经元电路，包括衬底、输出电阻Rout层、电容C1介质层、忆阻器、隔离层、电容C2介质层和沉积电阻Rs，其中在衬底上制备Rout层，并与电容C1介质层串联后，再和忆阻器串联，得到电路的第一部分；将电容C2介质层与电路的第一部分并联，且在两者之间设置隔离层，形成电路的第二部分；再将电路的第二部分与沉积电阻Rs串联，得到多功能神经元电路；基于多功能神经元电路的结构，根据电容C1介质层和电容C2介质层产生不同的编码方式。上述电路可同时实现时间编码和频率编码，对感受到的信号进行不同的编码处理，提高了神经元电路的编码效率和应用场景。
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公开(公告)号：CN117743256A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311676034.8
申请日：2023-12-01
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的超导存算一体架构，包括存算单元，所述存算单元包括超导层和忆阻器，所述忆阻器包括中间层和顶层，所述超导层通过中间层与忆阻器的顶层连接；若干行存算单元以及若干列存算单元交叉连接形成交叉阵列结构，所述交叉阵列结构每一行输入电压信号作为矩阵输入信号，交叉阵列结构实现矩阵乘加运算，每一列的最后一个存算单元输出矩阵乘加运算结果，其中，利用超导层提升运算速度；本发明的优点在于：利用忆阻器的存储能力以及超导层的高速读写和低功耗的特性，解决了当前存算一体架构计算速度不足和高能耗等方面问题。
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公开(公告)号：CN116579395A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310438357.7
申请日：2023-04-23
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种针对SkipStructure深度神经网络硬件精度问题的原位补偿法，属于忆阻器技术领域；原位补偿法包括S1，确定补偿方程的相关系数；S2，测试相关系数与输出误差之间的关系；S3，根据S2得到的测试数据，进行数据拟合，并建立补偿方程；S4，在阵列输出结果时，运用S3建立的补偿方程，对输出结果进行原位补偿；本发明的补偿方法能够解决忆阻器阵列在实现Skip Structure式深度神经网络时误差层层叠加所导致的精度下降问题，从而对于硬件实现跳跃式结构神经网络有很大的优化作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119546173A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411490292.1
申请日：2024-10-24
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种原位真空制备系统及忆阻器的制备方法，属于电子器件制造技术领域；一种原位真空制备系统包括手套箱，手套箱的一侧连接有真空集联管道，真空集联管道中分别能进行：绝缘材料热蒸发、金属材料热蒸发、反应离子刻蚀、离子束刻蚀、电子束蒸发以及磁控溅射；所述绝缘材料蒸发和电子束蒸发均采用：电子束蒸发设备；所述金属材料热蒸发和磁控溅射均采用：磁控溅射设备；反应离子刻蚀采用：反应离子刻蚀设备；离子束刻蚀采用：离子束刻蚀设备忆阻器制备过程中的材料沉积和电极制作均在原位真空制备系统中进行，避免了材料污染和界面缺陷，显著提高忆阻器的性能，并简化了制备工艺。
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公开(公告)号：CN117079296A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310700901.0
申请日：2023-06-14
Applicant: 安徽大学
IPC: G06V30/244 , G06V30/18 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/063 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的手写数字识别方法及系统，涉及忆阻器技术领域，包括：接收输入手写数字图片数据，将输入手写数字图片数据进行卷积操作得到特征图数据，将特征图数据转为多维数组模式，标记为多维特征数据；将多维特征数据按列划分，并对每个多维特征数据分配一个权重系数，将对应列的多维特征数据与对应列的权重系数进行乘加，得到所有列的计算结果；将所有列的计算结果与对应列的多维特征数据进行乘加，得到计算结果阵列；将计算结果阵列的数据按列分配概率，得到每列数据所对应的概率系数，将概率系数映射至忆阻器阵列内，以特征图数据输入忆阻器阵列，得到输出结果；将输出结果返回计算机，从而完成手写数字图片的识别任务。
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公开(公告)号：CN118900622A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410974879.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种改善互补型忆阻器存储窗口的方法，属于半导体与集成电路技术领域；互补型忆阻器包括两层过渡金属氧化物介质层，位于上端的过渡金属氧化物介质层的氧空位缺陷少于下端过渡金属氧化物介质层的氧空位缺陷。这两层氧化物介质层的下端设置有下电极，上端设置有上电极。改善互补型忆阻器存储窗口的方法包括：下端过渡金属氧化物层的顶端嵌入金属纳米岛、缩小下端过渡金属氧化物层的厚度以及缩小上电极热导率中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN117174141A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311039655.5
申请日：2023-08-17
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明公开了一种存储单元、三态内容寻址存储器和电子设备，属于存储器领域，包括：阻变存储器、选通晶体管和放大晶体管；其中，阻变存储器的一端与位线相连，阻变存储器的另一端与选通晶体管的漏极相连；选通晶体管的源极与源线相连，选通晶体管的栅极与字线相连；放大晶体管的源极接地，放大晶体管的栅极与选通晶体管的漏极相连，放大晶体管的漏极与匹配线相连；与现有技术相比，本申请的存储单元、三态内容寻址存储器和电子设备，采用一个非易失器件，构成TCAM的存储单元，很好的避免了外围电路以及存储单元的面积和能量消耗大的问题，实现了TCAM的功能，具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN117011863A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310700907.8
申请日：2023-06-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的验证码数字任务识别方法、系统及设备，涉及忆阻器技术领域，包括以下步骤：接收验证码图片训练数据，将验证码图片训练数据与第一忆阻器阵列相映射得到读电压，将读电压与耦合系数进行矩阵乘加，得到输出电流值；将输出电流值转换为电压脉冲，将电压脉冲输入至存储输入数据的第二忆阻器阵列内进行乘加计算，得到第三忆阻器阵列；将读电压输入第三忆阻器阵列的每列器件内，得到每列器件对应的电流值，将电流值输入电路得到电压值；将电压值转换为编程脉冲更新耦合系数的第一忆阻器阵列；至耦合系数更新完成，得到最终忆阻器阵列，将读电压与最终忆阻器阵列的耦合系数进行矩阵乘加，得到输出结果，将输出结果输入计算机进行训练。
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