公开(公告)号：CN119922956A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510013358.6

申请日：2025-01-06

Applicant: 安徽大学

Inventor： 徐祖雨 ,  王家乐 ,  曹寿伟 ,  王志同 ,  朱云来 ,  吴祖恒 ,  代月花

IPC: H10D30/67 ,  H10D64/68 ,  H10D30/01 ,  H10D62/82

Abstract: 本发明公开基于异质结的高开关比整流率的气隙晶体管及其制备方法，属于晶体管技术领域；基于异质结的高开关比整流率的气隙晶体管包括：导电衬底，导电衬底上端设置有绝缘介质层，绝缘介质层上端设置有源电极，源电极上端设置有第一个二维材料层，第一个二维材料层上设置有第二个二维材料层，作为漏电极；所述第一个二维材料层采用MoS2，源电极材质为铂，第二个二维材料层采用石墨烯，MoS2与铂接触形成高肖特基势垒，有助于提高整流能力；并且将MoS2与石墨烯结合，可以形成具有更高载流子迁移率的异质结，这对提高场效应晶体管(FETs)的开关速度和降低功耗至关重要。