公开(公告)号：CN109935260A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910137690.8

申请日：2019-02-25

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  王勇 ,  刘念龙 ,  吴秀龙 ,  彭春雨 ,  黎轩 ,  卢文娟 ,  陈军宁

IPC: G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种利用多次复用策略的平均7T1R单元电路，所述单元电路包括六个NMOS晶体管和三个PMOS晶体管，六个NMOS晶体管分别记为N0～N5，三个PMOS晶体管分别记为P0～P2；PMOS晶体管P0和NMOS晶体管N0构成一个反向器，PMOS晶体管P1和NMOS晶体管N1构成另一个反向器，且两个反向器形成交叉耦合结构；NMOS晶体管N2作为单边的写传输管，NMOS晶体管N3和N4形成分离的读端口，PMOS晶体管P2和NMOS晶体管N5作为一对复用的互补晶体管。利用该单元电路结构可以减少面积损耗、提高SRAM读写性能并且保证单边NVM结构的恢复率。

公开(公告)号：CN105251490B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201510752845.0

申请日：2015-11-06

Applicant: 国家电网公司 ,  国网安徽省电力公司电力科学研究院 ,  安徽大学

Inventor： 缪春辉 ,  汤泉 ,  张涛 ,  陈国宏 ,  王若民 ,  王勇 ,  邢明军 ,  张洁

IPC: B01J23/745 ,  B01J35/10 ,  B01J37/10

Abstract: 本发明公开了一种基于水热法制备α‑Fe2O3纳米管阵列的方法，包括以下步骤：制备β‑FeOOH纳米棒阵列：将覆盖有氟掺杂二氧化锡FTO的玻璃基片倾斜置于FeCl3和NaNO3的混合溶液中，并以100℃水热12小时，从而获得生长在所述玻璃基片上的β‑FeOOH纳米棒阵列；制备α‑Fe2O3纳米管阵列：将β‑FeOOH纳米棒阵列在氮气中退火6小时，从而制得α‑Fe2O3纳米管阵列。本发明不仅制备效率高、生产周期短、生产成本低，而且设备要求低、操作简单、环保无污染，适合进行大规模生产。

公开(公告)号：CN109935260B

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN201910137690.8

申请日：2019-02-25

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  王勇 ,  刘念龙 ,  吴秀龙 ,  彭春雨 ,  黎轩 ,  卢文娟 ,  陈军宁

IPC: G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种利用多次复用策略的平均7T1R单元电路，所述单元电路包括六个NMOS晶体管和三个PMOS晶体管，六个NMOS晶体管分别记为N0～N5，三个PMOS晶体管分别记为P0～P2；PMOS晶体管P0和NMOS晶体管N0构成一个反向器，PMOS晶体管P1和NMOS晶体管N1构成另一个反向器，且两个反向器形成交叉耦合结构；NMOS晶体管N2作为单边的写传输管，NMOS晶体管N3和N4形成分离的读端口，PMOS晶体管P2和NMOS晶体管N5作为一对复用的互补晶体管。利用该单元电路结构可以减少面积损耗、提高SRAM读写性能并且保证单边NVM结构的恢复率。

公开(公告)号：CN105251490A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510752845.0

申请日：2015-11-06

Applicant: 国家电网公司 ,  国网安徽省电力公司电力科学研究院 ,  安徽大学

Inventor： 缪春辉 ,  汤泉 ,  张涛 ,  陈国宏 ,  王若民 ,  王勇 ,  邢明军 ,  张洁

IPC: B01J23/745 ,  B01J35/10 ,  B01J37/10

Abstract: 本发明公开了一种基于水热法制备α-Fe2O3纳米管阵列的方法，包括以下步骤：制备β-FeOOH纳米棒阵列：将覆盖有氟掺杂二氧化锡FTO的玻璃基片倾斜置于FeCl3和NaNO3的混合溶液中，并以100℃水热12小时，从而获得生长在所述玻璃基片上的β-FeOOH纳米棒阵列；制备α-Fe2O3纳米管阵列：将β-FeOOH纳米棒阵列在氮气中退火6小时，从而制得α-Fe2O3纳米管阵列。本发明不仅制备效率高、生产周期短、生产成本低，而且设备要求低、操作简单、环保无污染，适合进行大规模生产。