一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元

    公开(公告)号:CN114496025A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210068744.1

    申请日:2022-01-20

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于极性加固技术的12T抗辐照SRAM存储单元,包括4个NMOS晶体管和8个PMOS晶体管;内部存储节点I2和I3由P2和P3交叉耦合,外部存储节点I1和I4由N1和N2交叉耦合;P1和P4作为上拉管,P1和P4对I2和I3进行加固,I2和I3全部由PMOS晶体管包围,这构成了极性加固结构;I2通过P7连接到第BLB,I3通过P8连接到BL,I1通过N3连接到BL,I4通过N4连接到BLB,N3和N4由WL控制,P7和P8由WWL控制。本发明能够提高SRAM存储单元的抗单粒子翻转能力,而且可以在牺牲较小单元面积的情况下大幅提高SRAM存储单元写速度,降低了SRAM存储单元的功耗。

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