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公开(公告)号:CN117079688A
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202311175010.4
申请日:2023-09-12
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/418 , G11C11/419 , G11C11/412 , G06F15/78 , G06F7/544
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种电流域8TSRAM单元、一种动态自适应量化的存算电路、CIM电路及其芯片。其由2个PMOS管P1~P2,6个NMOS管N1~N6构成;其中,P1、P2、N1~N4构成经典的具有两个存储节点Q和QB的6T存储单元;N5的栅极和漏极与N6的源极相连;N5的源极接信号线NIN;N6的栅极接存储节点Q;N6的漏极接计算位线CBL;所述6T存储单元用于实现数据读写保持功能;N5和N6构成乘法运算部分。自适应乘累加电路中采用了8TSRAM单元,并配置了可以随运算结果自适应调整的采样电流生成电路和参考电流生成电路;以保证输出的表征运算结果的计算电流保持稳定。本发明解决了现有CIM电路方案的性能和能耗难以均衡的问题。
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公开(公告)号:CN117056277A
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202311050617.X
申请日:2023-08-18
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F15/78 , G06F7/544 , G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种基于读写分离SRAM配置自适应扫描ADC的乘累加存内计算电路,以及对应的CIM芯片。该电路包括:存算阵列,行信号线、列信号线、模式控制电路、以及量化电路。其中,存算阵列由多个8TSRAM单元按阵列排布而成。行信号线包括WL、RWL和SW;列信号线包括BL、BLB和RBL。模式控制电路用于切换行信号线和列信号线的接入状态。模式控制电路包括行开关组和列开关组。行开关组用于调整RBL的接线端口。列开关组分别用于调整RWL的接线端口,SW的接地状态。以及RWL和SW连通状态。量化电路用于对逻辑运算的结果进行量化和输出。本发明的电路具备数据存储和MAC功能,并克服了传统方案在集成度、功耗和能效方面的不足。
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公开(公告)号:CN118132034A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410243339.8
申请日:2024-03-04
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于集成电路领域,具体涉及一种乒乓式乘法单元,一个基于乒乓式乘法及重构加法器树的存内计算电路,及其对应的CIM芯片。乒乓式乘法单元将原存算电路中的存储阵列按列划分左右两部分,并利用2个与门以及1个二选一选择器实现根据不同的控制信号;选择其中一个存储阵列中存储的数据作为权重,与Input端口输入的数据相乘,输出乘法运算结果;并允许未被选中的存储阵列在逻辑运算过程中更新权重。存内计算电路则在SRAM的基础上增加乒乓乘法模块、加法器组、数据输入单元、回写单元,以及模式控制模块;进而实现多比特数之间的乘法与乘累加运算。本发明解决现有存算电路无法同步计算和权重更新,不适用于神经网络处理的问题。
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