公开(公告)号：CN114496032A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210042707.3

申请日：2022-01-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  徐鸿运 ,  赵强 ,  卢文娟 ,  高珊 ,  郝礼才 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  陈军宁

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于阻变式存储器实现高速逻辑运算的4T3R电路结构，包括RRAM1的底部电极与NMOS晶体管M1的漏极、NMOS晶体管M2的漏极电连接；M1的栅极与WLA电连接；M2的栅极与WLC电连接；NMOS晶体管M2的源极和NMOS晶体管M3的源极均与RRAM2的顶部电极电连接；NMOS晶体管M3的栅极与WLB电连接；RRAM3的底部电极与NMOS晶体管M4的漏极电连接；M4的栅极与WLS电连接；NMOS晶体管M1的源极、RRAM2的底部电极、NMOS晶体管M4的源极均与SL和电阻R1电连接，而电阻R1的另一端接地。本发明采用RRAM实现了在内存内计算中基本的逻辑运算，提高了电路的逻辑运算效率。