公开(公告)号：CN117743256A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311676034.8

申请日：2023-12-01

Applicant: 安徽大学

Inventor： 徐祖雨 ,  杨涛 ,  林杨 ,  张瑞 ,  胡振东 ,  吴祖恒 ,  朱云来 ,  代月花

IPC: G06F15/78 ,  G06F7/544 ,  G06F17/16

Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的超导存算一体架构，包括存算单元，所述存算单元包括超导层和忆阻器，所述忆阻器包括中间层和顶层，所述超导层通过中间层与忆阻器的顶层连接；若干行存算单元以及若干列存算单元交叉连接形成交叉阵列结构，所述交叉阵列结构每一行输入电压信号作为矩阵输入信号，交叉阵列结构实现矩阵乘加运算，每一列的最后一个存算单元输出矩阵乘加运算结果，其中，利用超导层提升运算速度；本发明的优点在于：利用忆阻器的存储能力以及超导层的高速读写和低功耗的特性，解决了当前存算一体架构计算速度不足和高能耗等方面问题。