公开(公告)号：CN114898789A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210625161.4

申请日：2022-06-02

Applicant: 安徽大学

Inventor： 戴成虎 ,  余克锋 ,  高珊 ,  彭春雨 ,  赵强 ,  卢文娟 ,  郝礼才 ,  黎轩 ,  刘立 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明涉及基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构及方法。基于SRAM阵列的多位同或运算的电路结构包括N×N个SRAM存储单元，呈阵列分布，位于同一列的SRAM存储单元，所有的晶体管T5的源极与位线BL电连接，所有的晶体管T6的源极与位线BLB电连接；位于同一行的SRAM存储单元，所有的SRAM存储单元的第一行8T‑SRAM单元和第二行8T‑SRAM单元共用一个重置晶体管；所有的SRAM存储单元的第三行7T‑SRAM单元共用一个复写辅助单元。本发明能够正确完成数字域多位同或运算，相对于模拟域的计算，数字域计算具有更高的准确度，并且不需要较为复杂的A/D电路，减少电路的面积问题和电路的复杂性。