公开(公告)号：CN1571124A

公开(公告)日：2005-01-26

申请号：CN200410055266.2

申请日：2004-03-26

Applicant: 安内华股份有限公司

Inventor： 熊谷晃 ,  张宏

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L27/00

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明涉及一种薄膜形成方法，所述方法将含有金属元素的有机原料气体和氧自由基导入真空容器内，使其反应，在设置于上述真空容器中的基板的表面上形成金属氧化膜。

公开(公告)号：CN101423931A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710199346.9

申请日：2004-03-26

Applicant: 安内华股份有限公司

Inventor： 熊谷晃 ,  张宏

IPC: C23C16/40

CPC classification number: C23C16/45574 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45514 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明涉及一种薄膜形成方法，所述方法将含有金属元素的有机原料气体和氧自由基导入真空容器内，使其反应，在设置于上述真空容器中的基板的表面上形成金属氧化膜。