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公开(公告)号：CN110049946A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780076711.9
申请日：2017-12-12
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B21/068 , C01B33/02
Abstract: 本发明的目的在于提供一种氮化硅粉末，其能适宜地用作多晶硅铸锭的脱模剂，所述脱模剂即使在升高单向凝固时的硅的熔融温度时、或者增加硅的熔融时间时，多晶硅铸锭的脱模性也良好。提供一种氮化硅粉末，其特征在于，比表面积为2m2/g以上且13m2/g以下，β型氮化硅的比例为50质量％以上，β型氮化硅的微晶直径DC为150nm以上，比表面积当量直径DBET与DC之比DBET/DC(nm/nm)为3以下，通过粒度分布测定而得到的频率分布曲线具有两个峰，该峰的峰顶处于0.5～2μm的范围和6～30μm的范围，前述峰顶的频率之比为0.1～1。
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公开(公告)号：CN112912356A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201980070845.9
申请日：2019-10-29
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/593 , C04B35/64 , H05K1/03
Abstract: 一种氮化硅基板的制造方法，其特征在于，将包含氮化硅粉末和烧结助剂的多张生片以在它们之间夹持分离材料的方式层叠并烧结后进行分离，由此得到多张氮化硅烧结体，从而由氮化硅烧结体得到氮化硅基板，分离材料包含氮化硅粉。由于得到的氮化硅基板在表面不含氮化硼粉，因此在与铜接合时的热循环性优异。分离材料的通过BET法测定的比表面积为1m2/g以上且20m2/g以下，通过激光衍射散射法测定的体积基准的50％粒径D50为20μm以下，并且氧量为0.3重量％以上且低于2重量％，通过将分离材料以0.1mg/cm2以上且3mg/cm2以下的涂布量涂布在生片表面，能够得到热导率在室温下为80W/(m·K)以上、4点弯曲强度在室温下为800MPa以上的氮化硅基板。
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公开(公告)号：CN100546178C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200480037896.5
申请日：2004-12-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H03H3/02 , H01L41/22 , H03H9/17 , H01L41/107
CPC classification number: H03H3/04 , H01L41/316 , H03H9/173 , H03H9/174
Abstract: 公开了一种制造压电薄膜器件的方法，其包括：在基片(11)的上表面上形成能够由特定化学物质蚀刻的绝缘层(12)的步骤；在绝缘层的部分区域上形成牺牲层(13)的步骤，所述牺牲层由与绝缘层相比所述特定化学物质对其具有更高的蚀刻速度的物质制成；在包括牺牲层的区域上形成下电极(15)的步骤；在包括下电极的部分的区域上形成压电薄膜(16)的步骤；在包括压电薄膜的部分的区域上形成上电极(17)的步骤；形成通孔(18)穿透压电薄膜和下电极以便暴露牺牲层的部分的步骤；以及通过以下形成用于振荡的空间(20)的步骤：通过经由通孔引入所述特定化学物质并用该特定化学物质来蚀刻牺牲层和绝缘层两者。
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公开(公告)号：CN100498931C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN02809666.5
申请日：2002-05-10
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , B06B1/0644 , G10K11/04 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , Y10S977/888 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 在硅晶片(51)的表面形成了氧化硅薄层(53)的基板上，形成洼陷(52)。跨过洼陷(52)一样配置的夹层构造体，由压电体层(62)以及接合于其双面的下方电极(61)和上方电极(63)构成。下方电极(61)的上表面以及与它接合的压电体层(62)的下表面，高度RMS误差为25nm以下。下方电极(61)的厚度为150nm以下。这样，提供具有优良的电机械接合系数和音响品质系数的高性能的薄膜音响共振器。
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公开(公告)号：CN101090953A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001638.0
申请日：2006-01-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/64 , C01B21/082 , C09K11/08
CPC classification number: C09K11/0883 , C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2006/60 , C09K11/7728
Abstract: 一种红色荧光材料，其中构成荧光材料的晶相是单斜的Eu－活化CaAlSiN3。一种为Eu－活化的CaAlSiN3粉末的红色荧光材料，该粉末通过激光散射颗粒尺寸分布分析在非粉碎状态下测得的平均颗粒直径为10μm或更小。一种发光装置，其包含蓝色发光元件、能够将蓝色发光元件发出的蓝光转变成黄光的黄色荧光材料、以及能够将蓝色发光元件发出的蓝光转变成红光的上述红色荧光材料。一种用于制备单斜的Eu活化CaAlSiN3的方法，该方法包括在含氮的气氛中于1400－2000℃下烧制包含Ca3N2、AlN、Si3N4和EuN的原材料粉末，所述Ca3N2、AlN和Si3N4给出的组成落在连接图1的组成图中下面四个点A到D的直线围成的区域中，即由下面的(Ca3N2∶AlN∶Si3N4)摩尔比定义的四个点：点A：(10∶70∶20)点B：(10∶65∶25)点C：(70∶23∶7)点D：(70∶22∶8)，并且EuN的含量为每100重量份Ca3N2、AlN和Si3N4的总量包含0.01－10重量份Eu。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114787105A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202080085992.6
申请日：2020-12-10
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C04B35/593 , C01B21/068 , C04B35/587 , H05K1/03
Abstract: 本发明提供得到兼具高的热导率和优异的机械特性(强度和断裂韧性)的板状的氮化硅质烧结体的方法。制备在氮化硅原料中添加有烧结助剂的起始组合物，通过片成形工艺由起始组合物制作生片，将生片在含氮气体压力为0.15MPa以上且3MPa以下的加压气氛下、在最高保持温度为1790℃以上且1910℃以下的温度范围内保持而进行烧结，由此制造碱土金属含量与稀土金属含量的比率及氧含量高度受控的板状的氮化硅质烧结体，其中，所述氮化硅原料中配混有β百分率为0％以上且10％以下并且具有特定的氧含量、比表面积及平均粒径的第一氮化硅粉末和β百分率为60％以上且100％以下并且具有特定的氧含量、比表面积、平均粒径及长径比的第二氮化硅粉末。还提供原料粉末配混物及氮化硅质烧结体。
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公开(公告)号：CN101409536A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710085700.5
申请日：2002-05-10
Applicant: 宇部兴产株式会社
CPC classification number: H03H9/173 , B06B1/0644 , G10K11/04 , H03H3/02 , H03H9/02094 , H03H9/02102 , H03H9/02149 , H03H9/174 , H03H9/562 , H03H9/564 , H03H9/585 , H03H9/587 , H03H2003/021 , H03H2003/0428 , Y10S977/888 , Y10T29/42 , Y10T29/49155
Abstract: 在硅晶片(51)的表面形成了氧化硅薄层(53)的基板上，形成洼陷(52)。跨过洼陷(52)一样配置的夹层构造体，由压电体层(62)以及接合于其双面的下方电极(61)和上方电极(63)构成。下方电极(61)的上表面以及与它接合的压电体层(62)的下表面，高度RMS误差为25nm以下。下方电极(61)的厚度为150nm以下。这样，提供具有优良的电机械接合系数和音响品质系数的高性能的薄膜音响共振器。
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公开(公告)号：CN1894849A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037896.5
申请日：2004-12-17
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: H03H3/02 , H01L41/22 , H03H9/17 , H01L41/107
CPC classification number: H03H3/04 , H01L41/316 , H03H9/173 , H03H9/174
Abstract: 公开了一种制造压电薄膜器件的方法，其包括：在基片(11)的上表面上形成能够由特定化学物质蚀刻的绝缘层(12)的步骤；在绝缘层的部分区域上形成牺牲层(13)的步骤，所述牺牲层由与绝缘层相比所述特定化学物质对其具有更高的蚀刻速度的物质制成；在包括牺牲层的区域上形成下电极(15)的步骤；在包括下电极的部分的区域上形成压电薄膜(16)的步骤；在包括压电薄膜的部分的区域上形成上电极(17)的步骤；形成通孔(18)穿透压电薄膜和下电极以便暴露牺牲层的部分的步骤；以及通过以下形成用于振荡的空间(20)的步骤：通过经由通孔引入所述特定化学物质并用该特定化学物质来蚀刻牺牲层和绝缘层两者。
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公开(公告)号：CN110062745A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201780076707.2
申请日：2017-12-12
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C01B21/068 , B22C3/00 , C01B33/02
Abstract: 本发明的目的在于提供一种氮化硅粉末，其能适宜地用作多晶硅铸锭的脱模剂，所述脱模剂即使在升高单向凝固时的硅的熔融温度时、或者增加硅的熔融时间时，多晶硅铸锭的脱模性也良好。提供一种氮化硅粉末，其特征在于，比表面积0.4m2/g以上且5m2/g以下，其中，β型氮化硅的比例为70质量％以上，D50为2μm以上且20μm以下，D90为8μm以上且60μm以下，Fe的含有比例为100ppm以下，Al的含有比例为100ppm以下，除Fe及Al以外的金属杂质的含有比例合计为100ppm以下，将β型氮化硅的微晶直径设为DC时，DC为300nm以上。
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公开(公告)号：CN101090953B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200680001638.0
申请日：2006-01-25
Applicant: 宇部兴产株式会社
IPC: C09K11/64 , C01B21/082 , C09K11/08
CPC classification number: C09K11/0883 , C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2006/60 , C09K11/7728
Abstract: 一种红色荧光材料，其中构成荧光材料的晶相是单斜的Eu-活化CaAlSiN3。一种为Eu-活化的CaAlSiN3粉末的红色荧光材料，该粉末通过激光散射颗粒尺寸分布分析在非粉碎状态下测得的平均颗粒直径为10μm或更小。一种发光装置，其包含蓝色发光元件、能够将蓝色发光元件发出的蓝光转变成黄光的黄色荧光材料、以及能够将蓝色发光元件发出的蓝光转变成红光的上述红色荧光材料。一种用于制备单斜的Eu活化CaAlSiN3的方法，该方法包括在含氮的气氛中于1400-2000℃下烧制包含Ca3N2、AlN、Si3N4和EuN的原材料粉末，所述Ca3N2、AlN和Si3N4给出的组成落在连接图1的组成图中下面四个点A到D的直线围成的区域中，即由下面的(Ca3N2∶AlN∶Si3N4)摩尔比定义的四个点：点A：(10∶70∶20)点B：(10∶65∶25)点C：(70∶23∶7)点D：(70∶22∶8)，并且EuN的含量为每100重量份Ca3N2、AlN和Si3N4的总量包含0.01-10重量份Eu。
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