一种SiC@C一体化复合光阳极及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115044926A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210597047.5

    申请日:2022-05-30

    Abstract: 本发明涉及一种SiC@C一体化复合光阳极及其制备方法与应用,属于光电化学技术领域。本发明公开了一种SiC@C一体化复合光阳极,所述SiC@C一体化复合光阳极包括SiC纳米孔穴阵列层以及沉积在其表面的碳纳米薄层。本发明还公开了一种SiC@C一体化复合光阳极的制备方法,所述制备方法包括:将聚甲基丙烯酸甲酯与SiC光阳极半成品在双温区管式炉中进行化学气相沉积。

    一种4H-SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN111188082B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202010071042.X

    申请日:2020-01-21

    Abstract: 本发明涉及一种4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用,属于光电催化技术领域。本发明4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法包括如下步骤:S1、清洗4H‑SiC单晶片;S2、以清洗后的4H‑SiC单晶片作为阳极,石墨片作为阴极,在刻蚀液中进行阳极氧化刻蚀,所述阳极氧化刻蚀依次包括去帽层刻蚀和连续周期刻蚀,制得光阳极半成品;S3、对光阳极半成品进行清洗、干燥,即制得4H‑SiC一体化自支撑光阳极。本发明的自支撑光阳极具有极低的光解水起始电位和较高的水分解光电流密度。

    一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN111564549A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN202010111699.4

    申请日:2020-02-24

    Abstract: 本发明属于传感器技术领域,涉及一种SiC/ZnO纳米异质结压力传感器及其制备方法。所述SiC/ZnO纳米异质结压力传感器的制备方法包括以下步骤:(1)制备SiC/ZnO纳米异质结:将SiC纳米线分散于乙醇溶液中,取含有SiC纳米线的乙醇溶液滴在Si片上,自然晾干;然后将载有SiC纳米线的Si片面朝上放入原子层沉积系统,在惰性气氛中,以二乙基锌和水作为生长ZnO层的前驱体,在SiC纳米线表面生长ZnO层,从而获得SiC/ZnO纳米异质结;(2)压力传感器构建:将载有SiC/ZnO纳米异质结的Si片,在原子力显微镜导电模式下构建Pt/Ir-SiC/ZnO-Si压力传感器。

    一种CsPbBr3纳米晶及基于微波法合成不同维度CsPbBr3纳米晶的方法

    公开(公告)号:CN108083325B

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201711187461.4

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 本发明涉及一种CsPbBr3纳米晶及不同维度CsPbBr3纳米晶的合成方法,属于材料制备技术领域。所述的CsPbBr3纳米晶维度可调,为0维、1维、2维。将Cs2CO3、油酸及十八烯先升温至100‑130℃真空保温,再升温至Cs2CO3完全溶解,得Cs前驱体;将PbBr2、十八烯及二乙二醇丁醚先升温至100‑130℃真空保温,再将干燥的油酸和油胺按体积比(1‑15):1注入,升温至PbBr2完全溶解,得PbBr2前驱体;将Cs前驱体及PbBr2前驱体在氮气保护下进行混合,微波作用下合成,冰水降温,经离心清洗后重新分散在己烷或甲苯中保存。可控且快速合成不同维度CsPbBr3钙钛矿纳米晶。

    一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线基超级电容器

    公开(公告)号:CN110690053A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201910809846.2

    申请日:2019-08-29

    Abstract: 本发明纳米材料技术领域,涉及一种高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线基超级电容器。所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液,将生长有高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述高度石墨化超薄碳膜包覆SiC纳米线的碳膜厚度为3-6nm。本发明采用高度石墨化的超薄碳膜包覆SiC纳米线作为超级电容器的电极材料,不仅提高了超级电容器的比电容,同时保持了电极材料良好的循环寿命等其它电化学性能参数。

    一种光泵白光LED器件的制备方法

    公开(公告)号:CN108346735B

    公开(公告)日:2019-07-12

    申请号:CN201711390819.3

    申请日:2017-12-21

    Abstract: 本发明涉及一种光泵白光LED器件的制备方法,属于材料制备技术领域。所述的制备方法包括如下步骤:将环氧树脂和固化剂混合得混合溶剂,再加入硒化镉胶体量子点,搅拌均匀,得硒化镉环氧树脂混合物;取CsPbBr3‑PS纤维薄膜,在其薄膜表面刷上环氧树脂混合物,再粘在GaN基蓝光芯片上,最后真空烘箱中干燥得光泵白光LED器件。本发明实现了静电纺丝原位合成和固化封装CsPbBr3钙钛矿纳米晶在白光LED器件上的应用,简化了制备白光LED工艺,具有很好的可控性和重复性。本发明通过蓝光GaN基芯片激发协调绿光CsPbBr3钙钛矿纳米和红光硒化镉(CdSe),获得了标准色域和色温的白光LED器件。

    一种BiVO4纳米带高效光催化剂及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN106111115B

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201610452258.4

    申请日:2016-06-20

    Abstract: 本发明涉及一种BiVO4纳米带高效光催化剂及其制备方法和应用。其制备方法为:将PVP、Bi(NO3)3·5H2O、VO(acac)2和DMF配制成前驱体纺丝液;将配制好的前驱体纺丝液经静电纺丝得到有机前驱体纤维;将得到的有机前驱体纤维烘干得到固态前驱体纤维;将固态前驱体纤维经高温热解得到BiVO4纳米带光催化剂。本发明通过调控前驱体纺丝液的组成成分和配比,实现了BiVO4纳米带高效光催化剂的制备,并通过对单斜相BiVO4纳米材料的结构进行优化和调控,使BiVO4纳米带光催化剂具有高效且稳定的光催化活性,将BiVO4纳米带高效光催化剂用于光降解,将有力推动光催化技术在污染物降解领域的应用。

    CdS/SiC中空介孔纳米纤维
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109797458A

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201811419972.9

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 本发明涉及一种半导体光电材料,具体涉及一种CdS/SiC中空介孔纳米纤维,属于纳米技术领域。CdS/SiC中空介孔纳米纤维,纳米纤维主要组成元素为Cd、S、Si和C,其中Si、C元素在纳米纤维中的主要表现形式为SiC构成支撑体,Cd、S元素主要表现形式为SiC的修饰体,CdS占纳米纤维总质量的4-16%。本发明的CdS/SiC全介孔中空纳米纤维具有高效且稳定的可见光催化活性,制备该纳米纤维的方法简单可控,具有很好的重复性。

    一种CsPbBr3纳米棒及基于微波法合成不同尺寸CsPbBr3纳米棒的方法

    公开(公告)号:CN108117095A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201711187597.5

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 本发明涉及一种CsPbBr3纳米棒及合成不同尺寸CsPbBr3纳米棒方法,属于材料制备技术领域。所述CsPbBr3纳米棒尺寸可调,且长度为200-800nm。一种基于微波法合成不同尺寸CsPbBr3纳米棒的方法,包括:将Cs前驱体及PbBr2前驱体在氮气保护下进行混合,在100-1000W的微波下进行合成,1-60min后取出冰水降温,得CsPbBr3纳米棒原液;用己烷和丙酮对CsPbBr3纳米棒原液进行离心清洗,将沉淀物CsPbBr3纳米棒重新分散在己烷或甲苯中保存。本发明实现了微波法可控且快速合成CsPbBr3钙钛矿纳米棒,其能有效实现CsPbBr3钙钛矿纳米棒尺寸的精细调控。

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