一种CdS/SiC全中空介孔纳米纤维的制备方法

    公开(公告)号:CN109763211A

    公开(公告)日:2019-05-17

    申请号:CN201811419964.4

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 本发明涉及一种无机半导体光电材料的制备方法,特别是CdS/SiC全介孔中空纳米纤维的的制备方法,属于纳米材料技术领域。包括如下步骤:将聚硅氮烷(PSN)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解于无水乙醇中,形成前驱体纺丝液;将前驱体纺丝液经静电纺丝得到前驱体纳米纤维;将前驱体纳米纤维经高温煅烧得SiC全中空介孔纳米纤维;将SiC全介孔中空纳米纤维与Na2S·9H2O和CdCl2·5/2H2O溶液混合,经水热法得CdS/SiC全中空介孔纳米纤维。该制备方法工艺简单,生产方便,制得的纳米纤维质量稳定性好,还具有稳定有序的表面介孔结构,灵敏度高。

    CdS/SiC中空介孔纳米纤维
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109797458B

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201811419972.9

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 本发明涉及一种半导体光电材料,具体涉及一种CdS/SiC中空介孔纳米纤维,属于纳米技术领域。CdS/SiC中空介孔纳米纤维,纳米纤维主要组成元素为Cd、S、Si和C,其中Si、C元素在纳米纤维中的主要表现形式为SiC构成支撑体,Cd、S元素主要表现形式为SiC的修饰体,CdS占纳米纤维总质量的4‑16%。本发明的CdS/SiC全介孔中空纳米纤维具有高效且稳定的可见光催化活性,制备该纳米纤维的方法简单可控,具有很好的重复性。

    一种多孔中空碳纳米纤维的制备方法及包含其的超级电容器

    公开(公告)号:CN111058126A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911151184.0

    申请日:2019-11-21

    Abstract: 本发明属于超级电容器电极材料制备领域,具体涉及一种多孔中空碳纳米纤维的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、将聚硅氮烷(PSN)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)溶于有机溶剂中,混合均匀后,静电纺丝获得前驱体纤维,前驱体纤维干燥后进行固化处理得到固态前驱体纤维;S2、将固态前驱体纤维置于管式炉中,于惰性气体保护下高温热解,得SiCNO纤维;S3、将SiCNO纤维粉碎,浸渍于氢氧化钠和/或氢氧化钾的水溶液中,干燥后将混合物置于管式炉中,于惰性气体保护下加热处理,得多孔中空碳纳米纤维粗品,用水清洗直至pH呈中性,得多孔中空碳纳米纤维成品。

    一种CdS/SiC全中空介孔纳米纤维的制备方法

    公开(公告)号:CN109763211B

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201811419964.4

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 本发明涉及一种无机半导体光电材料的制备方法,特别是CdS/SiC全介孔中空纳米纤维的的制备方法,属于纳米材料技术领域。包括如下步骤:将聚硅氮烷(PSN)和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶解于无水乙醇中,形成前驱体纺丝液;将前驱体纺丝液经静电纺丝得到前驱体纳米纤维;将前驱体纳米纤维经高温煅烧得SiC全中空介孔纳米纤维;将SiC全介孔中空纳米纤维与Na2S·9H2O和CdCl2·5/2H2O溶液混合,经水热法得CdS/SiC全中空介孔纳米纤维。该制备方法工艺简单,生产方便,制得的纳米纤维质量稳定性好,还具有稳定有序的表面介孔结构,灵敏度高。

    一种多孔中空碳纳米纤维的制备方法及包含其的超级电容器

    公开(公告)号:CN111058126B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN201911151184.0

    申请日:2019-11-21

    Abstract: 本发明属于超级电容器电极材料制备领域,具体涉及一种多孔中空碳纳米纤维的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1、将聚硅氮烷(PSN)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)溶于有机溶剂中,混合均匀后,静电纺丝获得前驱体纤维,前驱体纤维干燥后进行固化处理得到固态前驱体纤维;S2、将固态前驱体纤维置于管式炉中,于惰性气体保护下高温热解,得SiCNO纤维;S3、将SiCNO纤维粉碎,浸渍于氢氧化钠和/或氢氧化钾的水溶液中,干燥后将混合物置于管式炉中,于惰性气体保护下加热处理,得多孔中空碳纳米纤维粗品,用水清洗直至pH呈中性,得多孔中空碳纳米纤维成品。

    CdS/SiC中空介孔纳米纤维
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109797458A

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201811419972.9

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 本发明涉及一种半导体光电材料,具体涉及一种CdS/SiC中空介孔纳米纤维,属于纳米技术领域。CdS/SiC中空介孔纳米纤维,纳米纤维主要组成元素为Cd、S、Si和C,其中Si、C元素在纳米纤维中的主要表现形式为SiC构成支撑体,Cd、S元素主要表现形式为SiC的修饰体,CdS占纳米纤维总质量的4-16%。本发明的CdS/SiC全介孔中空纳米纤维具有高效且稳定的可见光催化活性,制备该纳米纤维的方法简单可控,具有很好的重复性。

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