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公开(公告)号：CN115044926A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210597047.5
申请日：2022-05-30
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种SiC@C一体化复合光阳极及其制备方法与应用，属于光电化学技术领域。本发明公开了一种SiC@C一体化复合光阳极，所述SiC@C一体化复合光阳极包括SiC纳米孔穴阵列层以及沉积在其表面的碳纳米薄层。本发明还公开了一种SiC@C一体化复合光阳极的制备方法，所述制备方法包括：将聚甲基丙烯酸甲酯与SiC光阳极半成品在双温区管式炉中进行化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN111188082B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202010071042.X
申请日：2020-01-21
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用，属于光电催化技术领域。本发明4H‑SiC一体化自支撑光阳极的制备方法包括如下步骤：S1、清洗4H‑SiC单晶片；S2、以清洗后的4H‑SiC单晶片作为阳极，石墨片作为阴极，在刻蚀液中进行阳极氧化刻蚀，所述阳极氧化刻蚀依次包括去帽层刻蚀和连续周期刻蚀，制得光阳极半成品；S3、对光阳极半成品进行清洗、干燥，即制得4H‑SiC一体化自支撑光阳极。本发明的自支撑光阳极具有极低的光解水起始电位和较高的水分解光电流密度。
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公开(公告)号：CN115044926B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210597047.5
申请日：2022-05-30
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种SiC@C一体化复合光阳极及其制备方法与应用，属于光电化学技术领域。本发明公开了一种SiC@C一体化复合光阳极，所述SiC@C一体化复合光阳极包括SiC纳米孔穴阵列层以及沉积在其表面的碳纳米薄层。本发明还公开了一种SiC@C一体化复合光阳极的制备方法，所述制备方法包括：将聚甲基丙烯酸甲酯与SiC光阳极半成品在双温区管式炉中进行化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN111188082A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010071042.X
申请日：2020-01-21
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种4H-SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用，属于光电催化技术领域。本发明4H-SiC一体化自支撑光阳极的制备方法包括如下步骤：S1、清洗4H-SiC单晶片；S2、以清洗后的4H-SiC单晶片作为阳极，石墨片作为阴极，在刻蚀液中进行阳极氧化刻蚀，所述阳极氧化刻蚀依次包括去帽层刻蚀和连续周期刻蚀，制得光阳极半成品；S3、对光阳极半成品进行清洗、干燥，即制得4H-SiC一体化自支撑光阳极。本发明的自支撑光阳极具有极低的光解水起始电位和较高的水分解光电流密度。
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