公开(公告)号：CN100499186C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200480017788.1

申请日：2004-06-25

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李圭哲 ,  朴原一

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/267 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/08 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28

Abstract: 一种由p型半导体薄膜和外延生长于其上的n型ZnO基纳米棒组成的异质结结构，由于促进了电子通过纳米尺寸结的隧穿和使用具有高激子能量的ZnO作为发光材料，因此该异质结结构表现出高发光效率特性，并因此其利于应用于诸如LED、场效应晶体管、光探测器、传感器等的纳米器件。

公开(公告)号：CN1813357A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480017788.1

申请日：2004-06-25

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李圭哲 ,  朴原一

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/267 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/08 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28

Abstract: 一种由p型半导体薄膜和外延生长于其上的n型ZnO基纳米棒组成的异质结结构，由于促进了电子通过纳米尺寸结的隧穿和使用具有高激子能量的ZnO作为发光材料，因此该异质结结构表现出高发光效率特性，并因此其利于应用于诸如LED、场效应晶体管、光探测器、传感器等的纳米器件。

公开(公告)号：CN100416872C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200480016124.3

申请日：2004-02-24

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李奎哲 ,  朴原一

IPC: H01L33/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/44 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/108 ,  H01L33/20 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供了使用金属/半导体纳米棒的异质结构的接触织物及其制备方法。接触电阻低的欧姆接触织物或具有整流特性的肖特基接触织物是通过将纳米尺寸的金属选择性沉积到氧化锌/半导体纳米棒的预定部分上并控制沉积金属的功函和金属/氧化锌的界面特性而形成的。接触织物可以用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管在内的电子元件、光学元件及其阵列中。

公开(公告)号：CN1806344A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016124.3

申请日：2004-02-24

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李奎哲 ,  朴原一

IPC: H01L33/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/44 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/108 ,  H01L33/20 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供了使用金属/半导体纳米棒的异质结构的接触织物及其制备方法。接触电阻低的欧姆接触织物或具有整流特性的肖特基接触织物是通过将纳米尺寸的金属选择性沉积到氧化锌/半导体纳米棒的预定部分上并控制沉积金属的功函和金属/氧化锌的界面特性而形成的。接触织物可以用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管在内的电子元件、光学元件及其阵列中。