公开(公告)号：CN101140969A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200610154113.2

申请日：2006-09-08

Applicant: 希特隆股份有限公司 ,  学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李奎哲 ,  安星振 ,  金容进 ,  李东键

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 化合物半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上涂覆多个球形球并在其上涂覆有球形球的衬底上选择性生长化合物半导体薄膜。整个过程可以被简化，并且与外延横向过生长(ELO)法相比可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。

公开(公告)号：CN100416872C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200480016124.3

申请日：2004-02-24

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李奎哲 ,  朴原一

IPC: H01L33/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/44 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/108 ,  H01L33/20 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供了使用金属/半导体纳米棒的异质结构的接触织物及其制备方法。接触电阻低的欧姆接触织物或具有整流特性的肖特基接触织物是通过将纳米尺寸的金属选择性沉积到氧化锌/半导体纳米棒的预定部分上并控制沉积金属的功函和金属/氧化锌的界面特性而形成的。接触织物可以用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管在内的电子元件、光学元件及其阵列中。

公开(公告)号：CN1806344A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016124.3

申请日：2004-02-24

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李奎哲 ,  朴原一

IPC: H01L33/00 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28537 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/44 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/475 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/108 ,  H01L33/20 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供了使用金属/半导体纳米棒的异质结构的接触织物及其制备方法。接触电阻低的欧姆接触织物或具有整流特性的肖特基接触织物是通过将纳米尺寸的金属选择性沉积到氧化锌/半导体纳米棒的预定部分上并控制沉积金属的功函和金属/氧化锌的界面特性而形成的。接触织物可以用到各种纳米尺寸的包括肖特基二极管在内的电子元件、光学元件及其阵列中。