公开(公告)号：CN100499186C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200480017788.1

申请日：2004-06-25

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李圭哲 ,  朴原一

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/267 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/08 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28

Abstract: 一种由p型半导体薄膜和外延生长于其上的n型ZnO基纳米棒组成的异质结结构，由于促进了电子通过纳米尺寸结的隧穿和使用具有高激子能量的ZnO作为发光材料，因此该异质结结构表现出高发光效率特性，并因此其利于应用于诸如LED、场效应晶体管、光探测器、传感器等的纳米器件。

公开(公告)号：CN1813357A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200480017788.1

申请日：2004-06-25

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李圭哲 ,  朴原一

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/267 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/08 ,  H01L33/26 ,  H01L33/28

Abstract: 一种由p型半导体薄膜和外延生长于其上的n型ZnO基纳米棒组成的异质结结构，由于促进了电子通过纳米尺寸结的隧穿和使用具有高激子能量的ZnO作为发光材料，因此该异质结结构表现出高发光效率特性，并因此其利于应用于诸如LED、场效应晶体管、光探测器、传感器等的纳米器件。