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公开(公告)号：CN107078192A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060152.3
申请日：2015-11-03
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L25/167 , H01L21/565 , H01L23/291 , H01L23/296 , H01L23/3171 , H01L23/3185 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0025 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明涉及一种光电子部件（10），光电子部件（10）具有复合主体（100），复合主体（100）包括模制主体（200）和光电子半导体芯片（300），光电子半导体芯片（300）嵌入在模制主体（200）中。导电通路（400）从复合主体（100）的上面（101）延伸穿过模制主体（200）至复合主体（100）的下面（102）。光电子半导体芯片（300）的上面（301）至少部分地保持不被模制主体（200）覆盖。光电子半导体芯片（300）具有在半导体芯片上面（301）上的第一电接触件（310）。复合主体（100）上面（101）被装备成具有第一上面金属化物（110），第一上面金属化物（110）将第一电接触件（310）以导电方式连接到通路（400）。光电子部件（10）具有上绝缘层（160），上绝缘层（160）延伸跨过第一上面金属化物（110）。光电子部件（10）还具有第二上面金属化物（120），第二上面金属化物（120）被布置成跨过上绝缘层（160）并且第二上面金属化物（120）由上绝缘层（160）而与第一上面金属化物（110）电绝缘。
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公开(公告)号：CN107112385B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201580054044.5
申请日：2015-08-04
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 一种用于制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺在载体（2）的上侧形成牺牲结构（470）以及使用模制部分（481）对布置在载体（2）的上侧的牺牲结构（470）和电子半导体芯片（430）进行成形，使得所述电子半导体芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆盖。作为另外的步骤，所述方法包括使所述模制部分（481）从所述载体（2）脱离以及去除牺牲结构（470），其中通过去除所述牺牲结构（470）在所述模制部分（470）中形成凹处。
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公开(公告)号：CN107112385A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580054044.5
申请日：2015-08-04
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
Abstract: 一种用于制造电子器件的方法包括：通过光刻工艺在载体（2）的上侧形成牺牲结构（470）以及使用模制部分（481）对布置在载体（2）的上侧的牺牲结构（470）和电子半导体芯片（430）进行成形，使得所述电子半导体芯片（430）的表面（435）至少部分地不被模制部分（481）覆盖。作为另外的步骤，所述方法包括使所述模制部分（481）从所述载体（2）脱离以及去除牺牲结构（470），其中通过去除所述牺牲结构（470）在所述模制部分（470）中形成凹处。
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