公开(公告)号：CN117316777A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311301436.X

申请日：2023-10-07

Applicant: 天芯互联科技有限公司

Inventor： 丁鹏 ,  刘磊 ,  陈瑞田

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请公开了芯片封装方法以及芯片封装组件，芯片封装方法包括：获取到待封装板材；其中，待封装板材包括基板以及设置在基板表面的多个限定部以及多个开口，开口位于相邻限定部之间；获取到多个芯片，在每个开口贴装一个芯片；获取到塑封材料，将塑封材料与多个芯片、多个限定部以及基板进行压合，以形成塑封体；其中，塑封体覆盖多个芯片远离基板的一侧表面、多个限定部远离基板的一侧表面以及填充开口与芯片之间的空隙；去除基板，对塑封体进行切割，得到多个芯片封装组件。本申请通过开口以及限定部对芯片的位置以及位移进行限定，能够提高芯片的封装精度，从而提高芯片的封装性能，继而提高封装产品良率。

公开(公告)号：CN116995049A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310821484.5

申请日：2023-07-05

Applicant: 天芯互联科技有限公司

Inventor： 刘磊 ,  胡津津 ,  王利国 ,  张强波 ,  陈瑞田

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请提供一种转接板、封装结构及其制备方法，转接板包括第一转接板和第二转接板；第一封装层将第一转接板和第二转接板封装为一体式结构；其中，第一转接板和第二转接板并排且间隔设置，第一转接板包括基板，基板上间隔设置有多个第一导通结构；第二转接板包括相互堆叠的至少两层导通层和多个第二导通结构，相邻的导通层之间设置有介电层，多个第一导通结构的分布密度大于多个第二导通结构的分布密度。本申请通过将第一转接板和第二转接板组合封装，且第一转接板设置的多个第一导通结构的分布密度大于第二转接板设置的多个第二导通结构的分布密度，使一体式结构具有高密度和低密度两个区域，可以用于多芯片互联，使布线密度多样化。

公开(公告)号：CN116884937A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310857207.X

申请日：2023-07-12

Applicant: 天芯互联科技有限公司

Inventor： 胡津津 ,  王利国 ,  陈瑞田 ,  刘磊 ,  张强波

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/24 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485

Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，特别是涉及一种多芯片的封装结构及制作方法。一种多芯片的封装结构包括第一填充结构、第二填充结构、连接结构、基板和多个芯片，连接结构包括转接板和多个导电电极，任意相邻两导电电极之间设置有转接板，相邻两芯片连接同一转接板，转接板的上表面上设置有第一互联结构，转接板内设置有多个导电通孔，导电通孔与第一互联结构电连接，转接板的下表面上设置有连线层，导电电极的上表面上设置有第二互联结构，连接结构的下表面上设置有第三互联结构。芯片和芯片之间的高速互联部分通过转接板连接，芯片和芯片之间的低速互联部分通过导电电极和基板连接，以综合2.5D封装技术的传输速度快和2.3D封装技术的成本低的优势。

公开(公告)号：CN117059572A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310922621.4

申请日：2023-07-25

Applicant: 天芯互联科技有限公司

Inventor： 刘磊 ,  胡津津 ,  王利国 ,  陈瑞田 ,  张强波

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请公开了一种晶圆的封装切割方法及芯片封装体。该封装方法包括：制作切割道，在衬底层上具有晶粒的一面形成盲槽；贴保护膜，并减薄衬底层使盲槽成为通槽；在晶圆的衬底层一面贴切割膜，并去除保护膜；以漏出晶粒；对晶圆进行塑封，并使塑封料覆盖晶粒并延伸覆盖通槽的槽壁；沿塑封后的通槽进行切割，以得到芯片封装体。上述方法在制作切割道将各晶粒割断时，通过切割膜使各晶粒仍连接为一个整体，在塑封时塑封料不仅仅覆盖晶粒，塑封料还填充满通槽，对通槽内的塑封料进行切割后，使得衬底层的表面也被塑封料覆盖，得到的芯片封装体的衬底层的侧面也能被有效保护，避免了后续流程误碰衬底层侧面的风险，使得芯片封装体的产品可靠性更高。

公开(公告)号：CN117012631A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202311135345.3

申请日：2023-09-01

Applicant: 天芯互联科技有限公司

Inventor： 刘磊 ,  胡津津 ,  王利国 ,  陈瑞田 ,  张强波

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/782 ,  B24B37/04

Abstract: 本申请公开了一种晶圆切割方法、芯片与电子设备，其中晶圆切割方法包括获取待加工晶圆，并对待加工的所述晶圆依次进行光刻胶涂布、曝光、显影工艺，以在所述晶圆上加工出切割通道；将所述晶圆上的切割通道通过干法刻蚀工艺加工至预定深度；对加工至预定深度的所述晶圆进行背面研磨工艺，以使得切割通道露出，完成对所述晶圆的切割。本申请通过将背面研磨工艺与干法刻蚀工艺相结合，减小了切割通道的布局宽度，使得晶圆具有更高的利用率，提高异质芯片在同一片晶圆内更多布局的可能性。

公开(公告)号：CN116798889A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310877536.0

申请日：2023-07-17

Applicant: 天芯互联科技有限公司

Inventor： 胡津津 ,  王利国 ,  刘磊 ,  陈瑞田 ,  张强波

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L21/67 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/535 ,  H01L23/538

Abstract: 本发明公开了一种封装结构及其制作方法、控制器、制造设备以及介质，涉及封装技术领域，该方法包括将硅转接板和线路转接板安装在玻璃载体上铜柱的间隙内；对硅转接板、线路转接板以及铜柱进行第一塑封处理，得到第一转接体；执行第一加工操作；对第二端面执行第二加工操作；在第二端面上安装目标芯片，并进行第二塑封处理，得到目标转接体；将目标转接体通过第一端面安装在基板上，得到封装结构。本发明通过将硅转接板和线路转接板塑封在一起，并安装目标芯片，实现了芯片之间的高速互联部分采用硅转接板连接，以及实现了芯片之间的中低速互联部分采用线路转接板连接，进而采用线路转接板降低了制作成本，采用硅转接板提高了性能。

公开(公告)号：CN116453958A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310266606.9

申请日：2023-03-13

Applicant: 天芯互联科技有限公司

Inventor： 胡津津 ,  高宸山 ,  刘磊 ,  陈瑞田 ,  张强波

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明公开了一种芯片封装结构及其制作方法，该方法包括：提供一辅助载板及待封装芯片，所述待封装芯片的下表面具有凸点；将所述待封装芯片的下表面通过所述凸点固定于所述辅助载板的上表面；对所述待封装芯片进行包封；去除所述辅助载板；在所述待封装芯片与所述辅助载板连接的一侧制作连接所述凸点的第一导电线路，形成所述重布线层；将所述重布线层置于具有第二导电线路的基板的上表面进行装贴，使得所述第一导电线路与所述第二导电线路连接；在所述基板的下表面进行植球，使所述锡球连接所述第二导电线路；该方法降低了高密度芯片对基板的要求，提高基板以及最终封装产品的良率。

公开(公告)号：CN116259545A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211099989.7

申请日：2022-09-07

Applicant: 天芯互联科技有限公司

Inventor： 胡津津 ,  高宸山 ,  刘磊 ,  张强波 ,  陈瑞田

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 本申请公开了一种芯片的封装方法及封装件，其中，芯片的封装方法包括：提供一种设置有导通柱的玻璃基板；将玻璃基板贴装到芯板的冲孔内，并在冲孔内涂胶使玻璃基板与芯板的侧壁粘贴在一起，得到封装基板；在封装基板的相对两面对应导通柱的位置制作引脚；在封装基板其中一面的引脚上贴装器件，以使器件通过导通柱与封装基板另一面的引脚电连接；对封装基板表面贴装有器件的一面进行封装。通过上述结构，以提高玻璃基板封装件的可靠性。