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公开(公告)号：CN115411064A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210991928.5
申请日：2022-08-17
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 南京大学
IPC: H01L27/30 , H01L27/142
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池，包括：第一电池，第二电池，在第一电池的第一光电转换层和第二电池的第二光电转换层之间设置有第一电荷传输层、透明导电层、第二电荷传输层和多晶硅层，其中，第二电荷传输层设置在多晶硅层和透明导电层之间，且所述第二电荷传输层与所述多晶硅层的电荷传输性质相同。本发明提出的太阳能电池中在第一光电转换层和第二光电转换层之间依次设置有第一电荷传输层、透明导电层、第二电荷传输层和多晶硅层，特别是第二电荷传输层的设置可以保护多晶硅层，能够有效传输同一类型的电荷，避免复合现象在界面或薄膜内部的发生，从而能有效的提升电池效率。本申请太阳能还具有结构简单，制作工艺简便，成本较低等特点。
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公开(公告)号：CN115207227A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210986908.9
申请日：2022-08-17
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 南京大学
Abstract: 本申请涉及一种钙钛矿层制备方法以及光伏装置，该方法包括：a)使第一前驱材料在基底上形成第一固体层；所述第一前驱材料包含至少一种二价无机阳离子B，至少一种一价阳离子A和卤化物阴离子X；b)用第二前驱溶液处理所述第一固体层，形成所述钙钛矿层，其中第二前驱溶液包含至少一种一价阳离子A、卤化物阴离子X和SCN‑。本申请通过在两步法的第二步中添加硫氰酸根化合物，特别是氯化甲铵(MACl)和硫氰酸甲基铵(MASCN)的混合物，能控制钙钛矿的成膜过程，优化晶粒尺寸，尤其是能提升在绒面形貌上钙钛矿层的生长。
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公开(公告)号：CN112164728B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011184322.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法，包括衬底，衬底正面和背面分别设有正面钝化层和背面钝化层，衬底正面设有正面金属栅线，衬底背面设有背面金属栅线，衬底与背面金属栅线之间依次设有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层连接背面金属栅线，超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的形状相同，每相邻的两条背面金属栅线之间还设有空白区，空白区的边缘形状与超薄隧穿氧化层或掺杂多晶硅层的边缘形状吻合。本发明采用一种背面图形化的钝化接触结构，能降低金属接触区域的载流子复合，同时具有良好的接触性能。
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公开(公告)号：CN118231508A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410262107.7
申请日：2024-03-07
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/077 , H01L31/0224 , H01L31/20
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池结构、太阳能电池和光伏组件，太阳能电池结构包括基片、第一掺杂多晶硅层、导电层和第一金属电极，基片的第一表面设有金属接触区和非金属接触区；第一掺杂多晶硅层在厚度方向上的投影至少落入非金属接触区；导电层包括第二掺杂多晶硅层和第一透明导电层中的至少一个，第二掺杂多晶硅层和第一透明导电层中的至少一个在厚度方向上的投影至少落入金属接触区；第二掺杂多晶硅层的掺杂类型与第一掺杂多晶硅层的掺杂类型相同；第一金属电极设于导电层背离第一表面的一面且与导电层接触。本申请中的太阳能电池结构能够减少非金属接触区对光的寄生吸收，提高电池短路电流和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117995918A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410267272.1
申请日：2024-03-08
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L31/05 , H01L31/0352
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。太阳能电池包括：衬底，衬底包括第一表面；钝化接触层，包括设置于第一表面的多组钝化接触图案，每组钝化接触图案包括多个沿第一方向间隔排列的钝化接触部，各组钝化接触图案沿第二方向间隔布置；钝化介质层，层叠设置于钝化接触层的背离衬底的一侧，钝化介质层上对应各钝化接触部的位置设有贯穿孔；以及电极，设置于钝化介质层背离衬底的一侧，电极包括沿第二方向间隔布置的多条细栅，每组钝化接触图案的各钝化接触部通过贯穿孔与同一条细栅欧姆接触。本发明的太阳能电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统能够提高太阳能电池的光生电流，提高太阳能电池的效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387373A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310396227.1
申请日：2023-04-13
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/068
Abstract: 本申请涉及一种背接触太阳能电池及光伏系统，涉及太阳能的领域，其包括半导体衬底、隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第一金属电极以及第二金属电极；其中，半导体衬底具有背对光辐照的背面；隧穿氧化层位于半导体衬底的背面，隧穿氧化层呈图案化分布，图案化的隧穿氧化层中具有间隙；掺杂多晶硅层位于图案化的隧穿氧化层背向半导体衬底的表面；半导体衬底外露在间隙处的表面中的一部分表面为绒面；第一金属电极与间隙处的半导体衬底导电接触；第二金属电极与掺杂多晶硅层导电接触，第二金属电极与第一金属电极的极性相反。本申请通过对间隙处的半导体衬底的设计，简化量产工艺流程，降低生产成本，并且兼具优良的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN116314396A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310293470.0
申请日：2023-03-23
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供一种背接触太阳能电池和制备方法。该背接触太阳能电池包括：硅衬底，具有相对的正面和背面，且为第一掺杂类型；以及第一发射极和第二发射极，第一发射极与第二发射极沿第一方向相邻设置于硅衬底的背面，所述第一发射极为第二掺杂类型，第二发射极为第一掺杂类型，第一发射极的掺杂浓度为1×1013‑1×1018cm‑3，其中，第一方向与硅衬底的厚度方向相交。本申请的背接触太阳能电池通过控制第一发射极的掺杂浓度以及通过第二钝化层和/或隧穿氧化层调节与第二发射极相邻部分的第一发射极的掺杂浓度实现了隔离第一发射极和第二发射极的技术效果；同时具有较佳的机械载荷能力以及工艺步骤少的技术效果。
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公开(公告)号：CN112186049A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011171780.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种正面栅线钝化接触的PERC太阳能电池及其制备方法，包括P型单晶硅衬底，P型单晶硅衬底背面由内向外依次设有背面氧化铝钝化层和背面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面由内向外依次设有正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面设有贯穿正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层的正面金属银栅线，所述的P型单晶硅衬底正面且位于正面金属银栅线下方由内而外依次设有超薄隧穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层。本发明能提高电池的开路电压，同时降低金属接触区域的载流子复合，又能够降低掺杂多晶硅层对光的寄生吸收，减少电流损失，进而提高PERC电池的效率。
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公开(公告)号：CN110224069A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910509950.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 天合光能股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有防水功能的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，方法包括：在衬底上依次制备各个功能层；在最外层的功能层上制备离子液体层，其中离子液体层的材料为阳离子具有疏水特性的官能团，且支链末端含有C＝C双键，离子液体阴离子为卤元素离子I-、Br-、Cl-以及F-中的一种的离子液体；在离子液体层上制备金属电极，得到所述钙钛矿太阳能电池。本发明利用具有C＝C双键的离子液体在空气中加热发生聚合的性质，能在钙钛矿太阳能电池表面形成一层网状的离子液体，加上离子液体疏水的特性，能起到表面防水的作用，从而显著提高钙钛矿太阳电池的抗湿性能。当在表面沉积离子液体时，不会阻挡电荷的传输，从而不会造成钙钛矿太阳能电池转换效率的衰减。
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公开(公告)号：CN119277847A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411361858.0
申请日：2024-09-27
Applicant: 天合光能股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种光伏电池及其制备方法。光伏电池包括：硅基底，具有相对的第一表面和第二表面，第一表面相较于第二表面更靠近光伏电池的向光面；氧化层、多晶硅层和第一透明导电膜层，依次位于第一表面，其中，多晶硅层具有第一掺杂类型，第一透明导电膜层位于至少部分的或整面多晶硅层上；以及本征层、掺杂层和第二透明导电膜层，依次位于第二表面，掺杂层具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。本申请的光伏电池及其制备方法可以在保证金属电极区域钝化效果的前提下，减少光的寄生吸收，提升电池效率。
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