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公开(公告)号：CN112164728B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011184322.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法，包括衬底，衬底正面和背面分别设有正面钝化层和背面钝化层，衬底正面设有正面金属栅线，衬底背面设有背面金属栅线，衬底与背面金属栅线之间依次设有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层连接背面金属栅线，超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的形状相同，每相邻的两条背面金属栅线之间还设有空白区，空白区的边缘形状与超薄隧穿氧化层或掺杂多晶硅层的边缘形状吻合。本发明采用一种背面图形化的钝化接触结构，能降低金属接触区域的载流子复合，同时具有良好的接触性能。
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公开(公告)号：CN112186049A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011171780.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种正面栅线钝化接触的PERC太阳能电池及其制备方法，包括P型单晶硅衬底，P型单晶硅衬底背面由内向外依次设有背面氧化铝钝化层和背面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面由内向外依次设有正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面设有贯穿正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层的正面金属银栅线，所述的P型单晶硅衬底正面且位于正面金属银栅线下方由内而外依次设有超薄隧穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层。本发明能提高电池的开路电压，同时降低金属接触区域的载流子复合，又能够降低掺杂多晶硅层对光的寄生吸收，减少电流损失，进而提高PERC电池的效率。
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公开(公告)号：CN116581168A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310402070.9
申请日：2023-04-14
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本公开实施例中提供太阳能电池制备方法，在硅片正面进行掺杂源扩散以形成发射极，对所述发射极表面刻蚀目标结深，以使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度达到设定值，在刻蚀后的发射极表面形成正面钝化层，在所述正面钝化层上形成正面电极，所述正面电极穿过所述正面钝化层与刻蚀后的发射极表面形成接触电连接。使用本实施例，通过对发射极表面进行刻蚀，去除掺杂浓度较低的表面结深区域，使得刻蚀后的发射极表面的掺杂浓度较高，例如达到设定值，那么电极与发射极表面形成稳定电接触，提供稳定的电信号传输，提升太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN117476786A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311324884.1
申请日：2023-10-13
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/06 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种太阳电池及其制备方法，上述太阳电池包括基底，基底的第一侧面包括第一区域以及第二区域；第一区域为光滑面或者为第一金字塔绒面，第二区域为第二金字塔绒面，第一区域的金字塔覆盖率低于第二区域的金字塔覆盖率。第一区域为光滑面或者第一金字塔绒面，光滑面可避免由于表面积较大而导致的复合损失，而第一金字塔绒面的金字塔覆盖率相对较低，较低的金字塔覆盖率，在起到一定的减反射作用的同时，能够降低由于表面积较大而导致的复合损失。第二区域为受到金字塔结构带来的复合损失影响相对较小的区域，第二区域的金字塔覆盖率相对较大，以更好地起到减反射的作用，从而在总体上获得较大的性能收益。
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公开(公告)号：CN117457797A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311449156.3
申请日：2023-11-01
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种TOPCon电池结构的制备方法及应用，本发明利用硼扩共推工艺同时推进形成正面发射区n‑poly与背面p‑poly，减少了一步高温工艺，简化了工艺流程。后续通过利用激光大面积开膜工艺，保留电池正面发射极与金属接触区域的TOPCon结构，提升了发射极区域的钝化性能和载流子的收集效率。本发明优化了TOPCon电池结构的制备方法，简化了工艺流程，极大的缩减了工艺流程时间，降低了电池的制备成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116741851A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310879349.6
申请日：2023-07-17
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池器件及其制备方法和应用，所述太阳能电池器件包括衬底和设置于衬底表面的第一区域和第二区域，所述第一区域用于与金属电极接触，所述第二区域不与金属电极接触；其中，所述第一区域和第二区域表面形成金字塔绒面结构，所述第一区域的金字塔绒面结构的金字塔覆盖率为0～80％；所述第二区域的金字塔绒面结构的第二金字塔覆盖率大于80％；所述第一区域的金字塔塔尖高度高于第二区域的金字塔塔尖高度；所述第一区域和第二区域的掺杂浓度不同，所述第一区域的掺杂浓度高于第二区域的掺杂浓度。本发明器件降低了金属电极接触区复合，也降低激光消融的破坏作用，提高了开路电压和填充因子。
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公开(公告)号：CN112164728A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011184322.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法，包括衬底，衬底正面和背面分别设有正面钝化层和背面钝化层，衬底正面设有正面金属栅线，衬底背面设有背面金属栅线，衬底与背面金属栅线之间依次设有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层连接背面金属栅线，超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的形状相同，每相邻的两条背面金属栅线之间还设有空白区，空白区的边缘形状与超薄隧穿氧化层或掺杂多晶硅层的边缘形状吻合。本发明采用一种背面图形化的钝化接触结构，能降低金属接触区域的载流子复合，同时具有良好的接触性能。
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公开(公告)号：CN213242564U
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202022459299.0
申请日：2020-10-29
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种图形化的钝化接触太阳能电池，包括衬底，衬底正面和背面分别设有正面钝化层和背面钝化层，衬底正面设有正面金属栅线，衬底背面设有背面金属栅线，其特征在于，所述的衬底与背面金属栅线之间依次设有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层连接背面金属栅线，超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的形状相同，每相邻的两条背面金属栅线之间还设有空白区，所述的空白区的边缘形状与超薄隧穿氧化层或掺杂多晶硅层的边缘形状吻合。本实用新型采用一种背面图形化的钝化接触结构，能降低金属接触区域的载流子复合，同时具有良好的接触性能。
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公开(公告)号：CN221226231U
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202322192708.9
申请日：2023-08-14
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/042
Abstract: 本实用新型涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括基底、钝化接触结构、透明导电层和第一电极。钝化接触结构设于基底的一侧表面；透明导电层设于钝化接触结构背离基底的一侧；第一电极设于透明导电层背离基底的一侧，第一电极与透明导电层接触；其中，透明导电层能够导电并且能够被可见光透过。钝化接触结构的背离基底的一侧设置透明导电层，可降低钝化接触结构的厚度，从而降低光的寄生吸收，从而提高电流。而第一电极与透明导电层接触，而不与钝化接触结构接触，有利于防止损伤钝化接触结构，进而有利于避免导致开压及电流降低。采用如上的结构形式，有利于降低光的寄生吸收、提高电流，而且还有利于防止损伤钝化接触结构。
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公开(公告)号：CN213519985U
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202022445208.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种正面栅线钝化接触的PERC太阳能电池，包括P型单晶硅衬底，P型单晶硅衬底背面由内向外依次设有背面氧化铝钝化层和背面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面由内向外依次设有正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面设有贯穿正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层的正面金属银栅线，所述的P型单晶硅衬底正面且位于正面金属银栅线下方由内而外依次设有超薄隧穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层。本实用新型能提高电池的开路电压，同时降低金属接触区域的载流子复合，又能够降低掺杂多晶硅层对光的寄生吸收，减少电流损失，进而提高PERC电池的效率。
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