-
公开(公告)号：CN112164728B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202011184322.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法，包括衬底，衬底正面和背面分别设有正面钝化层和背面钝化层，衬底正面设有正面金属栅线，衬底背面设有背面金属栅线，衬底与背面金属栅线之间依次设有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层连接背面金属栅线，超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的形状相同，每相邻的两条背面金属栅线之间还设有空白区，空白区的边缘形状与超薄隧穿氧化层或掺杂多晶硅层的边缘形状吻合。本发明采用一种背面图形化的钝化接触结构，能降低金属接触区域的载流子复合，同时具有良好的接触性能。
-
公开(公告)号：CN112186049A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011171780.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种正面栅线钝化接触的PERC太阳能电池及其制备方法，包括P型单晶硅衬底，P型单晶硅衬底背面由内向外依次设有背面氧化铝钝化层和背面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面由内向外依次设有正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面设有贯穿正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层的正面金属银栅线，所述的P型单晶硅衬底正面且位于正面金属银栅线下方由内而外依次设有超薄隧穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层。本发明能提高电池的开路电压，同时降低金属接触区域的载流子复合，又能够降低掺杂多晶硅层对光的寄生吸收，减少电流损失，进而提高PERC电池的效率。
-
公开(公告)号：CN112164728A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011184322.8
申请日：2020-10-29
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法，包括衬底，衬底正面和背面分别设有正面钝化层和背面钝化层，衬底正面设有正面金属栅线，衬底背面设有背面金属栅线，衬底与背面金属栅线之间依次设有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层连接背面金属栅线，超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的形状相同，每相邻的两条背面金属栅线之间还设有空白区，空白区的边缘形状与超薄隧穿氧化层或掺杂多晶硅层的边缘形状吻合。本发明采用一种背面图形化的钝化接触结构，能降低金属接触区域的载流子复合，同时具有良好的接触性能。
-
公开(公告)号：CN213519985U
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202022445208.8
申请日：2020-10-28
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种正面栅线钝化接触的PERC太阳能电池，包括P型单晶硅衬底，P型单晶硅衬底背面由内向外依次设有背面氧化铝钝化层和背面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面由内向外依次设有正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层，P型单晶硅衬底正面设有贯穿正面氧化硅钝化层和正面氮化硅钝化层的正面金属银栅线，所述的P型单晶硅衬底正面且位于正面金属银栅线下方由内而外依次设有超薄隧穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层。本实用新型能提高电池的开路电压，同时降低金属接触区域的载流子复合，又能够降低掺杂多晶硅层对光的寄生吸收，减少电流损失，进而提高PERC电池的效率。
-
公开(公告)号：CN213242564U
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202022459299.0
申请日：2020-10-29
Applicant: 天合光能股份有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种图形化的钝化接触太阳能电池，包括衬底，衬底正面和背面分别设有正面钝化层和背面钝化层，衬底正面设有正面金属栅线，衬底背面设有背面金属栅线，其特征在于，所述的衬底与背面金属栅线之间依次设有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层连接背面金属栅线，超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的形状相同，每相邻的两条背面金属栅线之间还设有空白区，所述的空白区的边缘形状与超薄隧穿氧化层或掺杂多晶硅层的边缘形状吻合。本实用新型采用一种背面图形化的钝化接触结构，能降低金属接触区域的载流子复合，同时具有良好的接触性能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106301218A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610933842.1
申请日：2016-11-01
Applicant: 常州天合光能有限公司 , 天合光能(常州)科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于多主栅电池片的测试装置，包括：支撑板以及设置于支撑板上的测试台面，测试台面与支撑板之间电绝缘，其特征在于：所述测试台面具有良好的导电性能，且内部具有密封的气道，气道开口于测试台面的工作面并可在气压的作用下对待测电池片进行吸附；测试台面上设置有数个探针，探针与测试台面之间电绝缘，探针高出测试台面的测试面3-5mm；在测试台面的上方设置有用于压紧待测电池片的上压网结构，上压网结构整体呈矩形框状，四周具有边框，边框内设置有若干条镀金线，镀金线中包含若干条测试电压线以及测试电压线两倍数量的测试电流线，测试时，通过探针在待测电池片的背面施加电压。本发明具有测量结果更加精确的优点。
-
公开(公告)号：CN108054223B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201810027467.3
申请日：2018-01-11
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0288
Abstract: 本发明公开了一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，包括：P型硅基体，该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；隧穿氧化层，设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上；局域背场，设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上；多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层上；共晶层，设置于局域背场上；介质膜钝化层，设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上；金属正电极，设置在局域背场上；金属负电极，设置在多晶硅薄膜层上。本发明为采用以P型晶体硅作为衬底，结合钝化接触技术制备得到全背电极太阳能电池，大大提升了P型晶体硅也在全背电极太阳能电池技术方面的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110071029B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201910416926.1
申请日：2019-05-20
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01J37/20 , H01J37/28 , G01N23/2251 , G01N23/2204
Abstract: 本发明公开了一种扫描电镜样品台，包括基座以及至少一个与基座可拆卸连接的承载模块，所述承载模块带有用于承载样品的承载斜面。所述基座由底座和设置于底座上的凸台组成，所述承载模块带有与凸台侧面形状相匹配的接触面，所述承载模块与底座可拆卸连接，并且所述承载模块的接触面与凸台侧面接触配合。本发明不需要夹具和转轴等较为复杂的部件，即可实现同时装载多个样品、同时多角度测量的目的，兼具平面和截面测试功能，能够减少放真空‑换样‑抽真空的等待时间，提高实验和生产检验中的测试效率，本发明设计简单，易加工，易操作。
-
公开(公告)号：CN109935647B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910250289.5
申请日：2019-03-29
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：衬底；依次形成于所述衬底的表面的第一缓冲层、第一钝化层和第二缓冲层；其中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层可抑制氢离子向所述衬底迁入和/或金属离子从所述衬底迁出。
-
公开(公告)号：CN109935647A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910250289.5
申请日：2019-03-29
Applicant: 天合光能股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：衬底；依次形成于所述衬底的表面的第一缓冲层、第一钝化层和第二缓冲层；其中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层可抑制氢离子向所述衬底迁入和/或金属离子从所述衬底迁出。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.113 seconds)
