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公开(公告)号:CN1304247C
公开(公告)日:2007-03-14
申请号:CN200410098130.X
申请日:2004-09-27
CPC classification number: H01L21/6734 , B65G2201/0258 , H01L21/67346 , Y10T29/53174 , Y10T29/53178 , Y10T29/53261
Abstract: 一种基片容纳托盘平板架,以水平状态装基片,并包括用于插入基片取出工具的开口,该基片取出工具用于升高该基片,该基片容纳托盘平板架用于传送可被垂直叠放的基片容纳托盘,其中:该基片容纳托盘能被装到一上表面上;用于插入基片取出工具的开口,其位置与所安装的基片容纳托盘的开口相对。
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公开(公告)号:CN1607163A
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN200410098130.X
申请日:2004-09-27
CPC classification number: H01L21/6734 , B65G2201/0258 , H01L21/67346 , Y10T29/53174 , Y10T29/53178 , Y10T29/53261
Abstract: 一种基片容纳托盘平板架,以水平状态装基片,并包括用于插入基片取出工具的开口,该基片取出工具用于升高该基片,该基片容纳托盘平板架用于传送可被垂直叠放的基片容纳托盘,其中:该基片容纳托盘能被装到一上表面上;用于插入基片取出工具的开口,其位置与所安装的基片容纳托盘的开口相对。
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公开(公告)号:CN101784693A
公开(公告)日:2010-07-21
申请号:CN200880103599.4
申请日:2008-08-18
CPC classification number: C23C14/352 , C03C17/2453 , C03C2217/231 , C03C2217/948 , C03C2218/155 , C03C2218/156
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由处理基板的充电所引起的异常放电的发生,能够对大面积的处理基板形成良好薄膜的溅射方法。向在溅射室(12)内与处理基板(S)相对并且以规定间隔并列设置的多片靶(41a)至(41h)中各成对的靶施加电力,并按照规定的频率交替改变极性,将各个靶交替转换为阳极电极、阴极电极,在阳极电极和阴极电极之间产生辉光放电,形成等离子体气氛,对各个靶进行溅射。在溅射中间歇地停止向各个靶施加电力。
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