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公开(公告)号：CN100385616C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510079085.8
申请日：2003-05-16
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , G02F1/133
Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。本发明的一种用于使半导体结晶化的方法，包括如下步骤：将激光束照射到具有显示区域和围绕该显示区域的外围区域的一个基片上的半导体上，以使该半导体熔化和结晶化；在第一扫描方向上执行外围区域的结晶化；在把支承该基片的可旋转台旋转90度之后，在与第一扫描方向相垂直的第二扫描方向上执行外围区域的结晶化；以及沿着与像素的三原色子像素区域的排列方向相平行的第三扫描方向上执行显示区域的结晶化。
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公开(公告)号：CN100380578C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200510079087.7
申请日：2003-05-16
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , G02F1/133
Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括第一和第二激光源；聚焦光学系统；以及用于把由第一和第二激光源所发射的激光束引导到该聚焦光学系统的组合光学系统；其中该组合光学系统包括置于第一激光源之后的一个λ/2波片、置于第一和第二激光源中至少一个激光源之后的光束扩展器、以及用于把由第一和第二激光源所发射的激光束相组合的偏振分束器。
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公开(公告)号：CN101086954A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710101149.9
申请日：2004-12-03
IPC: H01L21/00 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/677 , B23K26/00 , B23K26/08
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/067 , B23K26/0673 , B23K26/0823 , B23K26/0861 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 本发明涉及一种即便在使用CW激光时也能实现高生产量的激光结晶设备和激光结晶方法。所述激光结晶设备包含支承上面形成有半导体层的衬底的可移动试样台、以时分方式使激光束导向多个光路的器件，以及向试样台支承的衬底上的半导体层聚光并应用通过光路的激光束的光学器件。使用激光束在一个方向上扫描半导体层的第一个区域，并且使用激光束在相反方向上扫描半导体层的第二个区域。
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公开(公告)号：CN100511580C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710101149.9
申请日：2004-12-03
IPC: H01L21/00 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/677 , B23K26/00 , B23K26/08
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/067 , B23K26/0673 , B23K26/0823 , B23K26/0861 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 本发明涉及一种即便在使用CW激光时也能实现高生产量的激光结晶设备和激光结晶方法。所述激光结晶设备包含支承上面形成有半导体层的衬底的可移动试样台、以时分方式使激光束导向多个光路的器件，以及向试样台支承的衬底上的半导体层聚光并应用通过光路的激光束的光学器件。使用激光束在一个方向上扫描半导体层的第一个区域，并且使用激光束在相反方向上扫描半导体层的第二个区域。
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公开(公告)号：CN100394541C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510079083.9
申请日：2003-05-16
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , G02F1/133
Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。本发明的一种使半导体结晶化的方法，包括如下步骤：把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的一个半导体层，以使得该半导体层熔化和结晶化，其中所述多个激光束不重叠地照射到该基片上，相互平行地扫描该半导体层，并且被定位，使得它们的熔化轨迹相互重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100369190C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510079086.2
申请日：2003-05-16
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , G02F1/133
Abstract: 一种使半导体结晶化的装置，包括至少一个激光源；用于把由激光源所发射的激光束分为多个子光束的光束分离装置；用于把子光束聚焦在基片上的无定形半导体上的至少一个聚焦光学系统；用于改变由该聚焦光学系统所形成的子光束的至少两个光点位置之间的距离的运动机构；用于把激光束转向到该聚焦光学系统的第一平面镜；以及被提供在该聚焦光学系统中以接收由第一平面镜所反射的子光束的第二平面镜，其中第一平面镜和第二平面镜之间的子光束与该运动机构的运动方向相平行。
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公开(公告)号：CN100369189C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200510079084.3
申请日：2003-05-16
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , G02F1/133
Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括激光源；用于支承包括无定形半导体的基片的平台；光学聚焦系统；以及所述平台包括平行放置并且同步地在第一方向上运动的第一台部件、置于第一台部件上方并且在与第一方向相垂直的第二方向上运动的第二台部件、可旋转地置于第二台部件上方的第三台部件，使得由激光源所发射的激光束通过该光学聚焦系统被照射到固定到第三台部件的基片上的半导体上，以使该半导体熔化和结晶化。
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公开(公告)号：CN100355018C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510079088.1
申请日：2003-05-16
IPC: H01L21/00 , H01L21/268 , G02F1/133
Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。本发明的一种用于使半导体结晶化的方法，包括如下步骤：把由多个激光源所发射的激光束通过一个聚焦光学系统照射到基片上的半导体层上，以使该半导体层熔化和结晶化，其中由多个激光源发射的激光束所形成的多个光点在基片上的半导体层上至少部分地相互重叠。
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公开(公告)号：CN100337309C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410098348.5
申请日：2004-12-03
IPC: H01L21/20 , G02F1/1368 , G09F9/00 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/067 , B23K26/0673 , B23K26/0823 , B23K26/0861 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 本发明涉及一种即便在使用CW激光时也能实现高生产量的激光结晶设备和激光结晶方法。所述激光结晶设备包含支承上面形成有半导体层的衬底的可移动试样台、以时分方式使激光束导向多个光路的器件，以及向试样台支承的衬底上的半导体层聚光并应用通过光路的激光束的光学器件。使用激光束在一个方向上扫描半导体层的第一个区域，并且使用激光束在相反方向上扫描半导体层的第二个区域。
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公开(公告)号：CN1238885C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03131162.8
申请日：2003-05-16
IPC: H01L21/268 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/067 , B23K26/0676 , B23K26/08 , B23K26/0884 , B23K2101/006 , B23K2101/40 , C30B13/24 , C30B35/00 , G02B19/0014 , G02B19/0057 , G02B27/144 , G02B27/145 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L29/6675 , H01L29/78672 , Y10T29/41
Abstract: 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括一个子光束选择照射系统，该系统包括子光束分离组件和子光束聚焦组件。并且，该装置包括激光源、聚焦光学系统、以及组合光学系统。用于支承基片的平台包括多个第一台部件、置于该第一台部件上方的第二台部件、以及可旋转地置于该第二平台上以支承该无定形半导体的第三台部件。
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