公开(公告)号：CN104603959A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201480002287.X

申请日：2014-07-09

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 在氮化物半导体发光元件中，依次设置有具有凹凸形状的基板、基底层以及至少具有发光层的氮化物半导体层叠结构。在凹凸形状所包含的凸部的上方且基底层的内部，设置有空洞部分。

公开(公告)号：CN104541381A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380040831.5

申请日：2013-09-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/325 ,  H01L33/007 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/22

Abstract: 本发明的氮化物半导体发光元件包含以2×1019个/cm3以上的高浓度掺杂硅而得到的高浓度硅掺杂层、以及用于在高浓度硅掺杂层上将穿透位错横向弯曲的位错减少层。

公开(公告)号：CN103123921A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201210450396.0

申请日：2012-11-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪 ,  小西胜之

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50 ,  A01G7/04

CPC classification number: F21V9/30 ,  A01G7/045 ,  F21V9/02 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/0857 ,  H05B33/0872 ,  Y02P60/149 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的植物培育用照明装置具备：在光合色素的380nm～500nm吸收波长范围内拥有峰值发光波长，且峰值发光波长彼此相差5nm以上的2种以上的半导体发光元件；受至少1种所述半导体发光元件的激发而在600nm～780nm的范围内拥有峰值发光波长的发出红光的红光荧光体。由此，本发明提供一种能以低功耗来有效地培育植物的照明装置。

公开(公告)号：CN101276991A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810090009.0

申请日：2008-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪 ,  小河淳 ,  高冈宏树

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  C23C16/18 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种制造氮化物半导体发光器件的方法，该方法包括下述步骤：在生长所述活性层之前使表面活性剂材料与所述n型氮化物半导体层的表面或未掺杂氮化物半导体层的表面接触接触，或者在生长所述活性层的过程中或生长所述活性层之后使表面活性剂材料与已生长的晶体表面接触。该制造方法可获得具有较高发光效率的氮化物半导体发光器件。

公开(公告)号：CN101276875A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810088422.3

申请日：2008-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件，其包括n型半导体层、有源层、n型半导体层和有源层之间的第一p型半导体层，以及在有源层的与第一p型半导体层相对的侧上的第二p型半导体层。此外，本发明涉及氮化物半导体发光器件，其包括n型氮化物半导体层、氮化物半导体有源层、n型氮化物半导体层和氮化物半导体有源层之间的第一p型氮化物半导体层、以及在氮化物半导体有源层的与第一p型氮化物半导体层相对的侧上的第二p型氮化物半导体层。根据本发明，能够抑制有源层的结晶度恶化并具有高发光效率和高电流密度。

公开(公告)号：CN102760807B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210092934.3

申请日：2012-03-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的氮化物半导体发光二极管元件包括：n型氮化物半导体层；p型氮化物半导体层；以及在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间设置的有源层，有源层具有量子阱层；以及与p型氮化物半导体层相连的阻挡层的多重量子阱结构，阻挡层由AlGaN层和GaN层的二层结构构成，阻挡层的AlGaN层与量子阱层的p型氮化物半导体层一侧相连。

公开(公告)号：CN100593248C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810004903.1

申请日：2008-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  相生明雄 ,  驹田聪 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。

公开(公告)号：CN100590899C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200710084935.2

申请日：2007-02-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01S5/32341

Abstract: 本发明提供了一种能够得到高的光发射输出同时减小正向电压Vf的氮化物半导体发光装置，并提供其制造方法。该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于该n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(5)；其中该n型氮化物半导体包括多层氮化物半导体层(101)，其具有由第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层重复至少两次组成的堆叠结构；该多层氮化物半导体层(101)形成与该有源层(5)接触；该第一氮化物半导体层为包含n型杂质的层，且该第二氮化物半导体层为非掺杂层或者为包含n型杂质的浓度低于所述第一氮化物半导体层的层。

公开(公告)号：CN101609867A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910146195.X

申请日：2009-06-18

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 驹田聪

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光二极管元件和该氮化物半导体发光二极管元件的制造方法，氮化物半导体发光二极管元件含有：n型氮化物半导体层、p型氮化物半导体层、设置于n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的氮化物半导体有源层，在p型氮化物半导体层的与氮化物半导体有源层的设置侧相反的一侧的表面上具有：含有氧化铟锡的第一透明电极层、含有氧化锡的第二透明电极层。

公开(公告)号：CN100433261C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200610067612.8

申请日：2006-03-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 笔田麻佑子 ,  驹田聪

IPC: H01L21/20

Abstract: 本发明提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括通过划片在第一衬底(10)的表面上形成沟槽(15)并在形成沟槽(15)的表面上形成氮化物半导体层(20)。此外，该方法还包括将氮化物半导体层(20)与第二衬底(17)结合在一起的步骤和把氮化物半导体层(20)与第一衬底(10)彼此分开的步骤。采用此制造方法，能以高产率获得氮化物半导体器件。