公开(公告)号：CN1438717A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN03103801.8

申请日：2003-02-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小出典克 ,  相生明雄 ,  西野猛

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有一般表达式为InxGayAlzN(x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)的氮化镓系化合物半导体层，其特征在于，在第一GaN层3和发光层6之间具有第二中间层4，第二中间层4具有比上述第一GaN层3更接近于上述发光层6的晶格常数。由此，当使用象Si基板那样热膨胀系数比氮化物半导体膜更小的基板时，可以减少裂纹的产生，使氮化物半导体膜的结晶性良好，从而可以得到长寿命、高亮度的氮化物系半导体发光元件。

公开(公告)号：CN101237014A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810004903.1

申请日：2008-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  相生明雄 ,  驹田聪 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。

公开(公告)号：CN100593248C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200810004903.1

申请日：2008-01-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小河淳 ,  相生明雄 ,  驹田聪 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，包括衬底，以及从靠近衬底一侧开始依次堆叠在该衬底上的第一n型氮化物半导体层、发射层、p型氮化物半导体层、金属层和第二n型氮化物半导体层，其中电极提供在第二n型氮化物半导体层的表面上或者在所述第二n型氮化物半导体层的表面的上方。该金属层优选由贮氢合金制造。

公开(公告)号：CN100338785C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN03103801.8

申请日：2003-02-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 小出典克 ,  相生明雄 ,  西野猛

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件，具有一般表达式为InxGayAlzN(x+y+z＝1，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1)的氮化镓系化合物半导体层，其特征在于，在第一GaN层3和发光层6之间具有第二中间层4，第二中间层4具有比上述第一GaN层3更接近于上述发光层6的晶格常数。由此，当使用象Si基板那样热膨胀系数比氮化物半导体膜更小的基板时，可以减少裂纹的产生，使氮化物半导体膜的结晶性良好，从而可以得到长寿命、高亮度的氮化物系半导体发光元件。