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公开(公告)号：CN101132113A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710153168.6
申请日：2005-05-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为－30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。
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公开(公告)号：CN111490455A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201911208715.5
申请日：2019-11-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。
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公开(公告)号：CN102084560A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126170.1
申请日：2009-07-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/2232
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。
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公开(公告)号：CN1758419A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510119979.5
申请日：2005-09-12
IPC: H01L21/205 , H01S5/00
CPC classification number: C23C16/303 , B82Y20/00 , C23C16/45504 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过在衬底上扩散包含III族元素的源气体和V族元素的源气体来结晶生长氮化物半导体。与衬底平行和从上游到下游来扩散气体。装置具有容纳在装置中的衬底以及用于允许气体流到流动通道中的流动通道。装置也有在流动通道的内壁上提供的多个突起。在气流的上游部分并且以水平方向提供一种用于使III族元素的源气体和V族元素的源气体分别引入到流动通道中的隔离物。在隔离物的上表面和下表面上形成突起。利用该结构，在供应源气体之前，使III族元素的源气体和V族元素的源气体更均匀地混合。
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公开(公告)号：CN111525391B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202010072729.5
申请日：2020-01-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可得到获得良好的FFP且可靠性高的FFP的半导体激光元件。半导体激光元件(1)在半导体层(20)中具有：一对第2凹部(130)，其相对于在脊部(110)的两侧形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)侧，夹着脊部(110)对置；和一对第3槽部(140)，其从光出射面(170)与第1槽部(120)平行并且夹着脊部(110)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109787087B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811246829.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN100386846C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200510119979.5
申请日：2005-09-12
IPC: H01L21/205 , H01S5/00
CPC classification number: C23C16/303 , B82Y20/00 , C23C16/45504 , C23C16/45563 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 本发明涉及一种用于制造氮化物半导体的装置，其通过在衬底上扩散包含Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体来结晶生长氮化物半导体。与衬底平行和从上游到下游来扩散气体。装置具有容纳在装置中的衬底以及用于允许气体流到流动通道中的流动通道。装置也有在流动通道的内壁上提供的多个突起。在气流的上游部分并且以水平方向提供一种用于使Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体分别引入到流动通道中的隔离物。在隔离物的上表面和下表面上形成突起。利用该结构，在供应源气体之前，使Ⅲ族元素的源气体和Ⅴ族元素的源气体更均匀地混合。
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公开(公告)号：CN1702927A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510072704.0
申请日：2005-05-17
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体激光器件(10)，包括：氮化物半导体激光元件(11)，其具有谐振腔端面且能够发射波长最长为420nm的光；连接到所述氮化物半导体激光元件(11)的散热器(12)；管座(14)，其上安装有散热器(12)；以及设置在所述管座(14)上的光探测元件(13)，用于探测来自所述氮化物半导体激光元件(11)的激光束。所述氮化物半导体激光元件(11)、散热器(12)和光探测元件(13)密封在连接到管座(14)的罩(15)中，且所述罩(15)之内的气氛具有最高为－30℃的露点和最高100ppm的氧浓度。
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公开(公告)号：CN111490455B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201911208715.5
申请日：2019-11-30
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供一种改善动作电压且可靠性高的氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件至少包括：设置在第二导电型半导体层的脊部、覆盖所述脊部的上表面与所述脊部的两个侧面的一部分的导电性氧化物层、覆盖所述导电性氧化物层的一部分的电介质层、以及覆盖所述导电性氧化物层与所述电介质层的第一金属层，所述导电性氧化物层中的层叠于所述脊部的上表面的部分自所述电介质层露出，同时被所述第一金属层覆盖。
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公开(公告)号：CN111525391A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010072729.5
申请日：2020-01-21
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供可得到获得良好的FFP且可靠性高的FFP的半导体激光元件。半导体激光元件(1)在半导体层(20)中具有：一对第2凹部(130)，其相对于在脊部(110)的两侧形成的第1槽部(120)而在光出射面(170)侧，夹着脊部(110)对置；和一对第3槽部(140)，其从光出射面(170)与第1槽部(120)平行并且夹着脊部(110)。
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