-
公开(公告)号：CN101944480A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010221979.7
申请日：2010-07-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案和改善的表面形态(平坦度)而提供增加的发光效能和提高的良率。该氮化物半导体激光器芯片(氮化物半导体芯片)包括：GaN基板，具有主生长面；以及形成在GaN基板的主生长面上的各氮化物半导体层。主生长面是相对于m面在a轴方向上具有偏角的面，并且各氮化物半导体层包括AlGaN下覆层。该下覆层形成为接触GaN基板的主生长面。
-
公开(公告)号：CN102084560A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126170.1
申请日：2009-07-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0207 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/2232
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。
-
公开(公告)号：CN101847823B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010144053.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/168 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/4031 , H01S2304/04
Abstract: 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置。因为EL发射图案得到改进，氮化物半导体发光芯片的发光效率得到增强。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体发光芯片)含具有主生长面10a的氮化物半导体基板10以及在氮化物半导体基板10的主生长面10a上生长的氮化物半导体层11至18。GaN基板10的主生长面10a是相对于m面在a和c轴方向都具有偏角的面，而且在a轴方向的偏角大于在c轴方向的偏角。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102956803A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210295063.5
申请日：2012-08-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/483 , H01L33/507 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件(A)，其具有简单结构，由此可以容易地并且精确地确认是否发出了紫外线，该半导体发光器件包括：用于发出在紫外或深紫外区域中的紫外线半导体发光元件(1)；帽部分(6)，帽部分在顶部中具有通孔，紫外线通过通孔(63)，帽部分包围半导体发光元件(1)；用于透射紫外线的半透明盖(7)，所述半透明盖设置成密封地封闭所述通孔(63)；及UV激发磷光体(8)，其被紫外线激发并发出可见光，所述UV激发磷光体设置在帽部分(6)的内侧。
-
公开(公告)号：CN101997268A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010261391.4
申请日：2010-08-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/16152 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0217 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/3407 , H01S2304/04 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置。提供一种能够提高发光效率的氮化物半导体元件。该氮化物半导体激光元件(氮化物半导体元件)具备：具有生长主面的GaN基板、在该GaN基板的生长主面上形成且具有包含阱层和势垒层的量子阱结构的有源层，所述生长主面由相对m面在a轴方向具有倾斜角的面构成，势垒层由包含Al的氮化物半导体即AlGaN构成。
-
公开(公告)号：CN101867149A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010143281.8
申请日：2010-03-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01S5/0425 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该方法包括步骤：在具有非极性面或半极性面的氮化物半导体衬底中形成凹进区域；以及在氮化物半导体衬底上设置氮化物半导体薄膜，其中该氮化物半导体薄膜包扩n型氮化物半导体薄膜、有源层和p型氮化物半导体薄膜。p型氮化物半导体薄膜在高于或等于700℃且低于900℃的生长温度下生长。
-
公开(公告)号：CN101902014A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010194776.3
申请日：2010-05-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/02389 , B82Y20/00 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/2231 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3203 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案而提供提高的发光效能。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体芯片)具有：n型GaN基板10，具有在a轴方向上相对于m面具有偏角的面作为主生长面10a；和氮化物半导体层20，形成于n型GaN基板10的主生长面10a上。n型GaN基板10包括：凹陷部2(雕刻区域3)，在厚度方向上从主生长面10a被雕刻；和未雕刻区域4，是未被雕刻的区域。形成于n型GaN基板10上的氮化物半导体层20具有其厚度以梯度方式朝向凹陷部2(雕刻区域3)减小的梯度厚度区域5和其厚度变化非常小的发射部形成区域6。在发射部形成区域6中，形成脊部28。
-
公开(公告)号：CN101847823A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010144053.2
申请日：2010-03-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/168 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/4031 , H01S2304/04
Abstract: 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置。因为EL发射图案得到改进，氮化物半导体发光芯片的发光效率得到增强。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体发光芯片)含具有主生长面10a的氮化物半导体基板10以及在氮化物半导体基板10的主生长面10a上生长的氮化物半导体层11至18。GaN基板10的主生长面10a是相对于m面在a和c轴方向都具有偏角的面，而且在a轴方向的偏角大于在c轴方向的偏角。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.027 seconds)
